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  • RE: [参考译文] LM5050-1-Q1：电流高达40A 时的 MOSFET 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Kari、 非常感谢您的快速回复。 我将使用80V 的 VDS 来更改 MOSFET 我仍然在努力计算功率耗散。 两个 ST MOSFET 的最低 R_DS (on)在25°C 时为 R_DS (on)= 1.5m Ω、在175°C 时为2.8 m Ω。因此、 最坏的导通损耗情况可能高达 P_COND = I^2 * R_DS (on)= 40^2 * 0.0028…
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  • RE: [参考译文] LM5050-1：一个 LM5050控制多个并行 MOS

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 （到我的原理图、这个设计是否正确、例如如果有两个并联的电源、有可能由于 MOSFET 的关断时间延长、MOSFET 的并联接 Ciss 会增加、但充电电流在电流反向流动时不会增加）μ A、 此外： 1) 1) 1)需要电阻器来限制 MOSFET 栅极上的电流 2) 2)如果有四个 MOSFET 并联、MOSFET 栅极上的 PCB 布线是否需要等长？ 3）是全部4个 MOSFET…
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  • RE: [参考译文] LM5050-1：电源管理论坛

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Praveen： 在前面关于 LM5050设计的讨论中、我仍然希望进一步了解根本原因： 以下是正常和异常工作条件下的一些电压值： 1、工作正常条件下电压测试结果(Q1正常); 2.工作异常情况下电压测试结果(Q1 DS short) 3、为什么 Q1 DS 变短,有时 Q2/D4损坏,可能有一些浪涌电流如下图所示; 4.基于上面的分析,如果优化我的原始设计如下图显示…
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  • [参考译文] LM5050-1：LM5050-1故障问题和选择

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5050-1 , TPS2413 , TPS2412 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/750804/lm5050-1-lm5050-1-failure-problem…
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  • RE: [参考译文] LM5050-1：栅极驱动器抗噪性问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Kari： 1）您的建议“从漏极到 GND 再增加0.1uF+10m Ω”GND 为 LM5050 GND 引脚或输出电压回路，我们在28V GND 上放置一个来自 LM5050-GND 的二极管，以避免反向电压。 是否需要将 ORing MOSFET 源极的 R+C 置于 GND？ 2) 2)我们在 ORing FET 的栅极和源极之间放置了一个1n 或10n 电容器…
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  • [参考译文] LM5050-1：选择串联电阻 R1阻值以避免启动期间发生故障

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1200988/lm5050-1-selection-of-series-resistor-r1-value-to-avoid-failure-during-startup 器件型号： LM5050-…
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  • [参考译文] LM5050-1：FET 数量

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5050-1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/699077/lm5050-1-number-of-fets 器件型号： LM5050-1 您好！ LM5050-1能否驱动2个外部…

  • [参考译文] LM5050-1-Q1：LM5050-1-Q1参考设计与放大器；最大开关速度

    Other Parts Discussed in Thread: LM5050-1-Q1 , LM5050-1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/673229/lm5050-1-q1-lm5050-1-q1-reference-design…
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  • RE: [参考译文] LM74700-Q1：控制两个 FET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Dajon、 LM74700-Q1无法以 背对背的方向驱动2个 FET、但 LM5060可以实现这一目的。 以下 e2e 常见问题解答详细介绍了 LM74700-Q1无法驱动背对背 FET 的原因。 理想二极管控制器是否可用作带有外部 MOSFET 的负载开关？ https://e2e.ti.com/support/power-management/f/power-management…
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  • [参考译文] LM5050-1：-有源二极管-在两个方向上强制其导通

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5050-1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/816761/lm5050-1---active-diode--forcing-it-on-for-both-di…

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