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  • [参考译文] LM5051：肖特基二极管的替代产品

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5051 , LM5050-1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/633921/lm5051-replacement-for-schottky-diode 器件型号：…
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  • RE: [参考译文] LM5050-1：LM5050-1应用问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Sulyn， 遗憾的是，LM5050不能与后端FET一起使用。 原因是： 1.有一个内部齐纳二极管夹子从内到门。 因此，充电会进入栅极，并保持MOSFET开启。 2. LM5050将门拉入而不是接地。 如果您需要回退FET和其中的一些功能，也许这种经过测试的双芯片解决方案TI设计将会引起您的兴趣： http://www.ti.com/tool/TIDA-0.0233…
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  • RE: [参考译文] LM5050-1：是否可以在 IN 和 GATE 之间插入一个电阻器？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我已附加 ppt 文件、该文件具有示波器屏幕截图。 e2e.ti.com/.../LM5050_2D00_1-issue.pptx 客户发现 FET 关断时 FET 源极出现尖峰。 (您可以在第2页找到此内容。) 他们再次检查了 FET Vgs 电压问题。 供参考、它们使用差分示波器来测量 FET 的 Vgs。 他们发现 尖峰比以前小。 (您可以在第3页看到此内容) 因此…

  • [参考译文] TPS61178：Vin gt；Vout 时的随机行为(&G)

    Other Parts Discussed in Thread: TPS61178 , LM5050-1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/636768/tps61178-random-behavior-when-vin-vout 器件型号…
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  • RE: [参考译文] UCC39002：基于工业通用电源的 Implemnt 1+1冗余&amp；功率共享

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你(们)好， 科林 负载在我们的应用中非常重(最大约12V/30A)、使用直流/直流降压控制 器意味着成本会增加。 很抱歉、我提供了错误 的应用报告编号、 我想引用的应用报告是 SLUA550。 现在、我纠正了我的问题。 1、对于相同的要求、我能否在 SLUA550 (即 UCC39002 + TPS2412)中创建基于 Fiugre 2的解决方案。 UCC39002 用于负载共享，TPS2412是…
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  • RE: [参考译文] LM5050-1：D1的重要性

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Vanker、您好！ 在 Vs 连接至 OUT 的情况下、泄漏电流会流回电源、导致 OUT 下降至-0.75V 或更低。 如数据表第7.1节第11页所述、避免了这种泄漏。 将 Vs 连接到 IN 引脚(通过 R1)、这将避免泄漏。 Vs 连接到 IN 时的波形、没有泄漏、而 OUT 不会低于绝对最大电压的-0.3V。 测试结果在主题 "https://e2e.ti.com…
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  • RE: [参考译文] LM5121：交错使用中的 LM5121

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Santi、 感谢您的关注。 理论上、您可以通过下拉第2个器件的 FB 并将其 COMP 短接到第1个器件来实现此目的。 只需注意您选择的断开开关、其中一个开关可能会提前打开、并且它必须处理总负载电流、因此其大小应适当。 另一种选择是并联使用两个 LM5122、并使用专用热插拔器件、如 LM5160或 LM5050、以实现类似功能、而无需生成两个同步时钟。 谢谢…
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  • RE: [参考译文] TIDA-00795：采用 N 沟道 MOSFET 的双向开关

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Richard、 感谢您的快速响应。 是的、我希望驱动通过其源极引脚连接的背靠背 MOSFET。 这些 MOSFET 位于高侧(非接地参考)、将用作支持双向电流流动的高侧开关。 功率将连接到 MOSFET #1的漏极、而负载将连接到 MOSFET #2的漏极。 我想仿真以下示例、但使用 N 沟道而不是 P 沟道 MOSFET。 我不知道如何在不导致反向电压保护进入大多数驱动电路的情况下驱动它们…
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  • [参考译文] LM74700-Q1：SPICE 模型在 LTSpice 中不起作用

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    Other Parts Discussed in Thread: LM74700-Q1 , TINA-TI 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/783167/lm74700-q1-spice-model-does-not-function…
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  • RE: [参考译文] LM9061-Q1：使用 LM9061进行热插拔

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Murthy、 ORing 和热插拔将为负载提供不间断电源。 但在二极管 Oring 中、它将选择最高电压。 在热插拔中、我们可以决定源的优先级。 在热插拔中、高侧 N 沟道 MOSFET 漏极连接到输入端、源极连接到输出端。 在二极管 ORing 高 N 通道中、MOSFET 源极连接到输出端、漏极连接到输入端。 对吗？ Rakesh->正确。 1.LM5050…

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