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  • RE: [参考译文] 反向电流保护、在背靠背配置中使用两个 PMOS

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Hong Pan、 LM74700-Q1是一款理想二极管控制器、可用于驱动 N 沟道 MOSFET、从而在最大电压为65V 的50V 应用中阻断反向电流。 请告诉我们此充电应用的电流要求。 如果您需要背对背配置、则需要添加 LM5060器件以及 LM74700-Q1。 此致、 Kari。
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  • RE: [参考译文] LM5060：澄清问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Viktorija、 对拖延表示歉意。 当 Vin 变为负极性时、LM5060会由于 UVLO 或 POR 而关闭栅极。 共源极点将通过 Q1的体二极管处于-ve 电势。 如果反极性电压超过 Q2的 Vgs 额定值。 它将损坏 Q2。 组件 Q3、D5和 R2保护 Q2并按如下方式工作。 Q3正向偏置-> Q2的 Vgs 短路 D5钳制 Q3的基极-发射极电压…
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  • RE: [参考译文] LM5060：我可以在600W 应用中使用它吗？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 David、 是的、它可以在600W 功率下工作。 CSD19502Q5B (额定电压为80V)可承受高达某些容性负载的功率应力。 FET 将看到能量等于1/2 CV^2、因此您可能需要像这样的良好 SOA FET。 在20V 时、假设600W 是恒定功率负载、您将具有30A、因此您最多需要其中3个 FET、具体取决于电路板上的气流、最大环境温度和铜质。 您也可以使用60V…

  • [参考译文] LM5060：高侧负载开关设计

    Other Parts Discussed in Thread: LM5060 , LM5069 , BQ76925 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/636814/lm5060-high-side-load-switch-design …

  • 官网的资料与提供的文件IC信息不一致，希望核实改进~

    • TI器件.pdf

  • 【热门FAQ】新一代高效率小体积电池充放电设备电路设计相关问答

    Other Parts Discussed in Thread: TPS61178 , TPS54821 , LM5170 , TIDA-01040 , TMP102 , BQ77915 , BQ76925 , BQ76930 , BQ77905 , PMP15038 , LM5170-Q1 , INA188 , TL594 , LM5060 , PMP40182 , TLV07 , INA128 , OP07 【热门FAQ】新一代高效率小体积电池充放电设备电路设计相关问答 No. 问题 TI 回复 1 TI有那么多电源管理芯片…

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