请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Brian Zhao、
此问题已通过电子邮件解决。 问题是 IR2910 FET 的 CGS 与 CRSS 比率较差(13：1)、导致栅极电流注入、并且当插入导致 DS 上的 dv_dt 较高时 FET 导通(非常类似于相位变为高电平时同步降压稳压器的击穿情况)。 使用更好的 TI CSD19536KTT (200：1)解决了这一问题。
Brian
Other Parts Discussed in Thread: TINA-TI , LM5067 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/620716/tina-spice-lm5067-can-not-find-the-simulation…
Other Parts Discussed in Thread: LM5067 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/619275/lm5067-restart-issue 器件型号： LM5067 客户正在使用两个 LM5067来实现子卡…
Other Parts Discussed in Thread: LM5067
Vin=-36V~-72V, Vee是-, BGND是+。R1=R2=1MΩ, R3=300KΩ，R5=100KΩ，C32=0.03uF, MOSFET选的是IRF3710, 负载电容C86=600uF，设备正常工作在-48V，负载功耗约200W(IL=4A).Q1是用来做缓起动的，Q2是为了防反接的。MOSFET是DDPAK封装，Ciss=2700pF，Crss=150pF，RDson=18mΩ，DS耐压100V，GS耐压20V…
