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  • RE: 可不可以用热插拔控制芯片作限流保护电路？

    LM5060是采样MOSFET的压降，所以精度不高， 建议使用LM5069，这个是检测精密电阻的压降
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  • [参考译文] LM5067：LM5067-Load 瞬态测试

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5067 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1079340/lm5067-lm5067-load-transient-test 部件号： LM5067 “线程： 测试 ”中讨论的其它部件…
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  • [参考译文] LM5066I：反向电流(电压)阻断功能

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5066I , TPS2663 , LM74910-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1262865/lm5066i-reverse-current-voltage…
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  • [参考译文] LM5066I：反向电流(电压)阻断功能

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5066I , TPS2663 , LM74910-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1262865/lm5066i-reverse-current-voltage…
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  • [参考译文] LM5066I：反向电流(电压)阻断功能

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5066I , TPS2663 , LM74910-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1262865/lm5066i-reverse-current-voltage…
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  • [参考译文] LM5066I：反向电流(电压)阻断功能

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5066I , TPS2663 , LM74910-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1262865/lm5066i-reverse-current-voltage…
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  • [参考译文] LM5066I：反向电流(电压)阻断功能

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5066I , TPS2663 , LM74910-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1262865/lm5066i-reverse-current-voltage…
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  • RE: [FAQ] [参考译文] [常见问题解答] LM5066I：如何在热插拔设计中选择功率 MOSFET？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 热插拔电路将功率 MOSFET 用作串联限流器件、并控制启动浪涌和故障电流。 在瞬态和故障事件期间、MOSFET 的功耗大于稳态、并且可能超过 MOSFET 的热限值、因此设计人员必须确保 MOSFET 在其安全工作区(SOA)内运行。 有许多有用的资源可帮助设计人员选择合适的 MOSET 来满足所有事件下的功率耗散要求。 应用手册“ 可靠的热插拔设计 ”介绍了 MOSFET 选择中涉及的详细设计过程…

  • [参考译文] BQ76200：预放电-使用功率 FET 而非电阻器

    Other Parts Discussed in Thread: BQ76940 , BQ78350 , BQ76200 , BQ34Z100-R2 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1199402/bq76200-pre-discharge…
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  • [参考译文] LM5069EVAL：插入延迟和重启时间

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5069EVAL 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/713705/lm5069eval-insertion-delay-and-restart-time 器件型号：…

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