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  • RE: [参考译文] LM5104：上拉/下拉栅极驱动电阻的澄清

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Reece、 2.7欧姆的栅极电阻器应该是可以接受的、并且似乎能按预期工作。 以下是讨论栅极驱动器峰值电流的技术手册： 了解并比较栅极驱动器的峰值电流能力 限制栅极驱动电流的最佳方法是调整栅极电阻器的大小。 在许多应用中、栅极电阻可以为0欧姆、以实现快速上升和下降时间。 只要温升和结温保持在数据表规格范围内、此运行就不会对驱动器造成影响。 可使用以下常见问题解答计算散热注意事项…
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  • RE: [参考译文] LM5104：ESD 等级的 CDM

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嘿、Dice-K、 在召集了我的一位同事后、LM5104似乎是我们继承而来的传统器件。 因此、由于 TI 未开展相关测试、因此不会提供有关资质的任何信息。 遗憾的是、这意味着我们只能将数据表用作此器件的信息源。 由于数据表中没有指定的 CDM ESD 等级、因此我们无法提供相应的规格。 对此可能造成的不便、我深表歉意。 此致！ 艾弗里
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  • RE: [参考译文] LM5104：外部栅极电阻器应用手册未提及负载

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jim、 没问题。 我也意识到我可能对这个问题的解释是错误的。 负载 FET 时的振铃通常较差、但如果在 FET 空载时的振铃较差、则应针对最坏的情况进行设计。 Rhi 和 Rlo 电阻代表高侧和低侧驱动器在导通期间的内部电阻。 此图取自另一份讨论 MOSFET 功率损耗的技术手册、我认为它可能有助于您进行计算。 下面是指向文章 的链接：链接 如果您有任何其他问题、请告诉我…
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  • RE: [参考译文] LM5104：仿真在60-65ms 之间停止

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Renan、您好！ 我能够让它收敛！ 以下是一些布线： 电压和电流(忽略它是 mA 的刻度、我尝试使它们处于类似的刻度)。 为此、我更改了收敛选项中的以下值： 这些设置使收敛要求不太严格、但会在一定程度上降低精度。 不过、对于这个比例可能还可以、但我确实想让您知道这一点。 这有点迷信、但我还绘制了电压、因为它在仿真以避免过多的数据点误差。 不过、我不确定这是否真正有用…

  • [FAQ] [参考译文] [常见问题解答]如何使用具有单个 PWM 信号的双输入半桥驱动器

    Other Parts Discussed in Thread: LMG1210 , LM5106 , LM5105 , LM5104 , UCC27710 , UCC27712 , TPS28225-Q1 , UCC27712-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management…
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  • RE: [参考译文] LM5104：传播延迟不均匀

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨，Jim， 这可以通过 HS 没有接地来解释，因此 HS 充电会影响到死机时间。 为了更准确地了解死亡时间，我建议对何承天 HS 进行范围拍摄，但我仍希望它不均匀。 谢谢， 丹尼尔·W
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  • RE: [参考译文] LM5104：高频操作时的占空比精度和传播延迟

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Jim： 适用于此类高频应用。 我建议您看看我们最新一代的半桥驱动器。UCC2728x系列具有更短的传播延迟。 https://www.ti.com/product/UCC2.7282万 https://www.ti.com/product/UCC2.7284万 谢谢！ Daniel W
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  • RE: [参考译文] LM5104：关于高频支持

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Caliber、 它们都可以达到2MHz、但要确保死区时间设置为最小值。 此外、您可能还需要在 DPR (WSON)封装中使用该器件、以实现更好的热性能。 我相信 LM5106的工作效果会更好、因为它没有 LM5104这样的最短死区时间、并且使用外部自举将使您能够使用快速恢复/肖特基二极管、该二极管在高频下性能良好。 如果您需要具有内部二极管的 LM5106等器件、LM5105也可能适合您…
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  • RE: [参考译文] LM5106：LM5105的替代方案-是否必须使用自举二极管？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jens： 遗憾的是、我们没有 LM5106的直接替代产品。 LM5104有一些相似之处、但其引脚排列不同、因此也不会直接插入。 谢谢、 Alex Mazany
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  • [参考译文] UCC28C45：UCC28C45：

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC28C45 , UC1845A , UCC28C42 , UCC28C41 , UC3845A , UC3845 , LM5104 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1005153…

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