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  • RE: [参考译文] UC1845A：降压应用需要应用电路

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Manoj、 UCx84y PWM 控制器的降压转换器不太常用、因此我无法轻松提供 参考设计或示例。 这是一个 E2E 主题、询问使用 UC2843的降压转换 器。 您可以看到 UC1845A 没有 BST 引脚、它们是图腾柱、GND 基准输出。 我们需要通过 使用栅极驱动变压器 、 隔离式栅极驱动 器或 半桥驱动 器从 GND 进行电平转换。 在输出 PWM 和高侧 MOSFET 之间使用半桥驱动器…
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  • [参考译文] TPS2834：问题跟踪&quot；TPS2834：MOSFET 驱动器的低侧在同步模式和全桥配置中使用时根本不工作。 必须执行外部修改才能使其正常工作。&quot；

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS2830 , LM5104 , TPS2834 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/976954/tps2834-follow-up-to-issues-tps2834…
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  • RE: [参考译文] LM5104：额外死区时间

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Andrew、 感谢您关注 LM5104。 在查看数据表第7.3.1节(自适应击穿保护)后、我看到声明 RT 引脚设计用于适应5K 至100K 的电阻范围、从而导致90ns 至200ns 的死区时间。 它明确指出、不建议使用5K 以下的值。 假设 RT 与时间的关系类似、要实现另一个100ns、RT 必须为~190K 欧姆。 该器件可能未在该电阻范围内进行表征或测试。…
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  • RE: [参考译文] LM5104：HO 电压的公式

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Fujiwara， 感谢您为客户提供 LM5104支持。 HO 引脚是浮动高侧栅极驱动器、HS 引脚作为高侧返回基准。 相对于接地的 HO 电压将为 HO= VDD-VF + HV。 这假设高侧开关在打开时饱和至 HV。 请通过选择绿色按钮确认此问题是否已得到解答、或者您可以在此主题上发布其他问题。 此致、
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  • RE: [参考译文] TPS2834：MOSFET 驱动器的低侧在同步模式下根本不工作、并且在全桥配置中使用。 必须执行外部修改才能使其正常工作。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Adam、 TPS2834具有自适应死区时间控制。 该特定 IC 中的实现会查看 BOOTLO 的电压、如果它处于高电平、则不会打开低侧驱动器。 这就是将电阻器从漏极悬挂到源极的原因。 这为 BOOTLO 电压放电提供了一条路径。 LM5104具有不同的自适应死区时间控制方法、这就是它在您的电路中工作的原因。 也许我们可以为您找到替代器件。 为什么不能在您的电路中使用…
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  • RE: [参考译文] LM5104：当 VDD = 0时、HO 和 LO 输出是否处于保证状态、以便关闭两个 MOSFET？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Marcus、 当 VDD 上升时、当 VDD UVLO 低于导通阈值时、有一个内部逻辑将驱动器输出驱动至接地。 当 VDD 或 HB-HS 上的 VDD ~1.2V 及以上时、驱动器输出可被主动驱动为低电平。 确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。 此致、
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  • RE: [参考译文] LM5104：连接到 MOSFET 时信号错误

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Li、 仍不清楚是什么限制了电路测试中的 LO 输出振幅。 关于具有单输入和双输出以及低死区时间的其他驱动器的问题、LM5104与 LM5105和 LM5106类似。 这两个驱动器具有死区时间编程引脚、可用于设置死区时间。 您希望达到多低的死区时间？ LM5105和 LM5106的死区时间设置低至80-100ns。 LM5105和 LM5106的数据表如下所示。 …
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  • RE: [参考译文] LM5104：最大占空比

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Sam： 最大占空比取决于多个因素、包括负载以及自举电路。 假设您使用自举拓扑(通常为50%占空比)在高侧提供偏置、 您将需要考虑在低侧导通期间自举电容器完全补充的足够时间、并且还需要在高侧导通期间允许自举电容器有足够的时间为 HO 栅极提供足够的偏置。 下面的应用手册讨论了如何选择自举拓扑。 http://www.ti.com/lit/an/slua887/slua887…
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  • RE: [参考译文] LM5104：驱动并联 MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Andrew、 感谢您澄清了您用于并联 MOSFET 的方法。 对于驱动多个并联 FET 的单个驱动器、我们始终建议为每个 FET 使用单独的栅极驱动电阻器。 并联 FET 的时序不应存在显著差异、任何差异都是由栅极电荷的变化引起的。 如果担心 MOSFET 开关的差异很小、LM5104允许通过 RT 引脚设置额外的延迟时间、在这种情况下、我建议这样做。 按下绿色按钮确认这是否解决了您的问题…
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  • RE: [参考译文] TINA/Spice/LM5104：LM5104 TINA 模型、不能正常工作？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、以色列、 我已经查看过您的测试台。 下面是一些问题、我可以向您指出。 我认为 设置和 连接不正确。 您能否查看数据表中的典型应用原理图并进行相应的连接？ 谢谢、此致、 Arpan Gupta

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