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[FAQ] [参考译文] [常见问题解答]如何使用具有单个 PWM 信号的双输入半桥驱动器
admin
Other Parts Discussed in Thread: LMG1210 , LM5106 ,
LM5105
, LM5104 , UCC27710 , UCC27712 , TPS28225-Q1 , UCC27712-Q1 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management…
1 年多前
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RE: [参考译文] LM5105:对冲模进行了重复时间标记。
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好,Manoj, 这对我来说是正常的。 如果担心假冒部件,请务必直接从 TI 或 TI 授权分销商处购买部件。 如果您仍然担心,请参阅 TI.com 上的假冒软件页面 --- 谢谢! 亚伦·格格里希
2 年多前
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RE: [参考译文] LM5106:LM5105的替代方案-是否必须使用自举二极管?
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jens: 遗憾的是、我们没有 LM5106的直接替代产品。 LM5104有一些相似之处、但其引脚排列不同、因此也不会直接插入。 谢谢、 Alex Mazany
2 年多前
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RE: [参考译文] LM5104:关于高频支持
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Caliber、 它们都可以达到2MHz、但要确保死区时间设置为最小值。 此外、您可能还需要在 DPR (WSON)封装中使用该器件、以实现更好的热性能。 我相信 LM5106的工作效果会更好、因为它没有 LM5104这样的最短死区时间、并且使用外部自举将使您能够使用快速恢复/肖特基二极管、该二极管在高频下性能良好。 如果您需要具有内部二极管的 LM5106等器件、
LM5105
也可能适合您…
2 年多前
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RE: [参考译文] LM5105:LM5105击穿问题
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Ahmad、 感谢您观看有关仿真问题的视频。 有几件事我可以解释并提供一些建议。 我看到您正在运行从启动到稳定状态的固定占空比。 当我在具有相同设置的实验中测试开环电源板时、在固定占空比方面、我会看到在很大的电流情况下出现相同的行为、直到输出电压上升。 所发生的情况是、您正在对初始电压为0V 的电容器充电、并且在"正向"或传导脉冲期间以及在 HO 关闭脉冲期间、您将在输出电感器上施加电压…
3 年多前
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RE: [参考译文] LM5105:半桥控制信号噪声
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Oskar、 驱动器接地基准和控制器接地端可能会出现接地反弹、从而导致问题。 此外、在连接示波器探头时还需要小心、以避免从测试设置中拾取噪声。 通过短接地连接将示波器探头尽可能靠近 IC 引脚连接。 使用钢丝弹簧连接到示波器接地环是最佳连接。 我们没有用于该器件的专用 EVM。 是否可以共享您的布局以便我们进行审核? 如果您不希望公开此信息、您可以与我们建立好友关系、进行私人信息交换…
3 年多前
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RE: [参考译文] LM5105:下降沿的传播延迟在低占空比时发生变化
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Erik、 我在脉冲宽度缓慢增大的情况下测试了
LM5105
、并观察到 HO 输出脉宽随着脉冲宽度的增大而变化(减小)、那么 HO 脉冲将随着中的变化而不断增大。 我曾尝试过各种 VDD、看看这是否会产生影响、以及 RDT 是否也很低。 为了对驱动器输入进行更精确的 HO 或 LO 脉宽控制、我建议使用 UCC27282 120V 半桥驱动器、该驱动器具有非常好的窄脉冲响应和低脉宽失真…
3 年多前
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RE: [参考译文] LM5105:PSpice 仿真-死区时间不会发生#39;t 变化
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 NIR 您好、 感谢您关注
LM5105
。 在确认驱动器的死区时间时、请确保查看驱动器输出和死区时间、而不仅仅是动力总成开关节点。 动力总成波形也取决于拓扑、负载和流入输出滤波器的电流。 确认驱动器输出后、请告诉我、如果您仍然看到问题、我可以进一步调查。 此致、
4 年多前
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RE: [参考译文] LM5105:LM5105SD_NOPB
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Rami、 感谢您提供信息。 您提到 VHB-VHS 是稳定的、但您能否确认电压电平以确认它不接近 UVLO 点、该点可能对噪声和纹波具有一定的敏感性? 负载电流可能导致一些问题的一个原因是、MOSFET VDS dV/dt 通常在更高的负载电流下增大。 随着 VDS dV/dt 升高、MOSFET CGD 会有更多的米勒电荷转移到 MOSFET 栅极电压、从而导致 Vgs…
4 年多前
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RE: [参考译文] LM5105:LO 输出短路时的用法
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好! 感谢您提供额外的波形、并对 VDRV_L 相对于接地的电压电平进行了一些澄清。 如果 DOUT 上没有电阻或负载、为何 DOUT 上存在延迟下降沿尚不清楚。 您能否记录栅极驱动波形以确认 VGS 波形? G2到 S2 (与 VDRV_L 相同)。 G1至 S1、在本例中、S1在 VDRV_L 之前串联了 R14、因此您需要自行悬空该信号。 此致、
4 年多前
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