Other Parts Discussed in Thread: LM5106 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1229716/lm5106-undershoot-of-hs 器件型号: LM5106 HS端子がVssより低い電圧にアンダーシュートした場合…
Other Parts Discussed in Thread: LM5109B , LM5106 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1165699/half-bridge-n-channel-power-mosfet-driver-recommendation…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好,
在LO和VSS之间使用感应电阻器会导致FET出现问题,也会影响驱动器。 请参阅LMG1025-Q1数据表的"典型应用"部分,了解感应电阻器和接地弹跳建议。
https://www.ti.com/lit/gpn/lmg1025-q1
谢谢!
Daniel W