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• [参考译文] LM5116：-15V @2A

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1250905/lm5116--15v-2-amps 器件型号： LM5116 我使用的是 Webench 电源设计。 我只能使用-0.5V 这个设计。 一些元件值发生了变化。 C17 (Cboot…

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  • 2 年多前
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• [参考译文] LM5116：短路事件期间 MOSFET 损坏

  

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  • 2 年多前
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• [参考译文] LM5116：短路事件期间 MOSFET 损坏

  

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• [参考译文] LM5116：短路事件期间 MOSFET 损坏

  

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  • 2 年多前
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• LM5116: -15.6V负电源输出，电源纹波超过仿真值

  

  Kun Jiang

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  Part Number: LM5116 本设计采用LM5116实现负电源-15.6V 1.5A输出，输入24V，期望得到电源纹波30mv VPP的电源，实际测试结果超过仿真值。TI Power Designer 仿真原理图如下： 设计原理图如下所示： 实际测试纹波波形如下所示：空载，纹波为60mv（250kHz 黄色波形为DCDC输出，紫色波形为LDO输出） 0.5A电流负载，纹波为78.3mv（250kHz 黄色波形为DCDC输出，紫色波形为LDO输出） 1.2A电流负载，纹波为 117 mv…

  • 2 年多前
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• LM5116-HT: mos可以并联吗？

  

  ? ?

  TI 认为已经解决

  Part Number: LM5116-HT Other Parts Discussed in Thread: CSD18511KCS 您好：LM5116-HT用的上下两个MOS管，我可以上管用2个同样的MOS管并联，下管也用同样的2个并联吗？请问这样可以减少MOS管的发热吗？如果并联会比单个使用有优势吗？如果可以，并联使用需要注意什么问题？谢谢！期待您的回复！

  • 2 年多前
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• [参考译文] LM5116：LM5116-12EVAL电感器值不正确？

  

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  Other Parts Discussed in Thread: LM5116-12EVAL , LM5116 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1093387/lm5116-lm5116-12eval-inductor-value-not…

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  • 4 年多前
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• [参考译文] LM5116：LM5116低侧安全门驱动故障

  

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  • 4 年多前
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• [参考译文] LM5116：我的LM5116设计是否需要电阻器？

  

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  • 4 年多前
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• LM5116-HT: GND平面有什么要求？

  

  ? ?

  TI 认为已经解决

  Part Number: LM5116-HT 您好，5116的中间层做GND平面时，线宽和间距有什么要求，设置多大数值比较合适？栅格的大小有影响吗？

  • 2 年多前
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