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  • LM5121: 自行设计的12V升36V的电路效率始终在91%左右徘徊，有什么方法可以提高效率吗

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    Part Number: LM5121 电路原理图如下 PCB布局与布线如下 试过很多办法，效率始终处于91%左右 其中，VD1肖特基二极管温度较高，输出120W功率时，温度有近130度，Q1管比VD1温度低一点。 拆除VD1，效率反而变差。 拆除C1 R1补偿元件，效率可以提高0.5%左右 拆除C2 R4补偿元件，效率同样可以获得轻微提高。 开关管DS波形上升沿有轻微振铃，开启和关断时间约50ns左右。 请问是否有好的建议？
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  • RE: [参考译文] LM5121-Q1：将不会开始开关

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Haroon、 我发现了这个问题、电感器放置错误(在90度以正确放置)。 这意味着电感器充当短路。 感谢您的观看、 Aidan
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  • RE: [参考译文] LM5121-Q1：LM5121效率改进

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Ancy、 我看到、这意味着您以 DEM 模式运行器件、我相信您可以通过在 SOM 或 FPWM 模式下运行来降低损耗、尤其是在负载电流较高的情况下。 其他建议是增加源极电压也可以降低损耗。 关于 FET 开关、使用具有较低 RDS (on)的开关可能是降低损耗的一个主意。 BR、 Haroon
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  • [参考译文] LM5060：用于升压断开 FET 的电源开关

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5121 , LM5122 , LM74502-Q1 , LM5060 , LM74502 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1136279/lm5060-power-switch…
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  • RE: [参考译文] LM5121：技术讨论

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Harry： Q1：对于 LM5121升压 IC，我想知道 对 C52值？的影响是什么 Q2： 在我将 Q6、Q7和 Q8从 LTS0111SR 替换为 VBE1101N，电源不正常， 我需要添加 C52容量来延迟软启动时间，电源正常，为什么？
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  • RE: [参考译文] LM5121-Q1：请查看升压转换器示意图

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Saneesh： 此查询与设备本身或设备数据表无关，因此我无法建议如何路由您的PWM信号， 虽然我建议切换节点具有高噪声，以400kHz作为切换频率，但我建议切换节点不要靠近其他关键组件，而应将接地靠近此切换节点。 巴西， Haroon
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  • RE: [参考译文] LM5121-Q1：交替宽和窄占空比，从而产生更高的电压纹波

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Selvam： 我认为您的输出电容器可能是问题的原因，电解电容器具有较高的ESR，这可能会增加输出波纹。 但对于交替占空比，这通常与次谐波振荡相关，因此可能没有足够的斜率补偿，无法消除次谐波振荡。 从您的原理图中，我看到您的RSense是0.035 ohm， 如果您的R斜率太高，并且您的R斜率不能累加，那么当您使用R斜率公式(LM5121数据表中的方程式6)计算时，请尝试将您的Rsense切换为4…
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  • [参考译文] LM5121-Q1：查询输出

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5122-Q1 , LM5121-Q1 , LM5122 , LM5121 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1076395/lm5121-q1-inquire-about…
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  • RE: [参考译文] LM5121-Q1：可以在电流感应电阻器之前移动断开 FET 的位置

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我想我现在将放弃这一想法。 我的电源系统中还有其他项目要运行。 我一直在寻找使用 LM2766等外部电荷泵(将其从 Vin 浮动到 Vin-5)来创建一个"Vin + 5V"电源来打开 P-MOS FET。 我已经测试过、如果我在 P-MOS 器件上施加一个外部电源的正电压、它将导通 P-MOS、然后导通 N-MOS FET。

  • RE: [参考译文] LM5121-Q1：是否可以使用不具有浪涌电流限制和断开开关功能的 IC？

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、心城、 非常感谢您对我的问题提供的最亲切的帮助。 但是、我仍需要您的帮助来回答有关 LM5121-Q1的另一个问题。 我将使用此 IC 为具有大约4毫法高电容值的保持电容器组充电。 我希望我的保持电容器组能够以至少50毫秒的时间提供大约150瓦的功率。 升压转换器可能会将输入电压提升至50伏作为输出。 此外、在这一点上、我确实需要分析输出 MOSFET 开始传导我的保持组时的浪涌电流是多少…

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