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• RE: [参考译文] LM5122：在 MOSFET 数量和布置方面需要帮助

  

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  已解决

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Deepak、您好！ 感谢您使用 e2e 论坛。 建议并联的 FET 在两个 FET 之间分配电流、以避免仅一个 FET 出现过载/过热。 栅极驱动器非常强大、可以同时支持两个 FET。 关于每个 FET 的放置、我建议查看参考设计。 我们用于 LM5123 (类似器件)的 EVM 原理图显示了如何连接 FET。 https://www.ti.com/tool/LM5123EVM…

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] LM5156：LM5156

  

  admin

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好Rishi： 感谢您的反馈。 让我在这里分享我的意见： 凭借15 A的负载电流和24 V输出，您最终获得非常高的输出功率(~360W。比240 W高很多)。 我看到你选择了一个高电流额定值的二极管，但是如果你看DS '平均功率损耗与平均正向电流'中的图2，你会发现二极管需要消耗相当多的功率。 我建议使用同步器件(如LM5123)，在这种情况下，您可以在低侧和高侧并行MOSFET…

  • 4 年多前
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