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• RE: [参考译文] LM25149-Q1：有关自举电阻器的问题

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Yuta、您好！ 是的、您可以在 LM25149-Q1上使用引导电阻器。 在 EVM LM25149-Q1EVM-2100上、您可以测试0Ω R9。 电阻不得过大、否则器件可检测到引导 UVLO。 我推荐10Ω RBOOT。 如果您有其他问题、请告诉我。 －奥兰多

  • 5 年多前
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• RE: [参考译文] LM25148：输出电压降至3A 以上

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jean： 您是在 IC 还是 FET 上测量这些栅极驱动 HO 和 LO 信号？ 当 VOUT 以4A 的电流下降时、SW 节点看起来会是什么样子？ 它稳定吗？ 此外、您的 VIN 在该情况下是否稳定？ 您可以附加一个快速入门计算器吗？ https://www.ti.com/tool/LM5148-LM25148DESIGN-CALC 我认为您的 HO 和 LO…

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] 高效降压转换器设计指南

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您可以尝试使用 LM25149或 LM25148-Q1、这些器件可以在压降条件下折返频率并实现接近100%的占空比。 此外、LM25149和8的输入电流 Iq 比 LM25116低、这将提高效率。 您可以创建 WEBENCH 设计来估算效率。 在压降中、效率将由电阻损耗决定、因此应最大限度地减小高侧 FET 的 RDSON 和电感器的 DCR。 随着频率下降、电感上升…

  • 4 年多前
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