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  • LM5145: 过流保护阈值的疑问

    TI 认为已经解决
    Part Number: LM5145 Other Parts Discussed in Thread: LMR38020 , LM5146 专家你好： 1.我使用你们提供的设计工具（LM5145_quickstart_calculator_A5）计算，发现设定过流值3A及以下时，RILIM就会显示NUM，这是怎么回事？ 2.规格书中说RSENSE模式适用于检测小电流，具体是哪个范围电流适合用该模式？ 3.规格书中ILIM引脚提供一个200uA（RDS-ON模式）电流，流向外部电阻RILIM，这点不太理解它的工作模式…
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  • RE: LM5145: 测试SW，LO时，示波器带宽设置

    已解决
    您好 建议您使用官方的仿真模型能得出比较准的输出带宽范围。 理论上示波器带宽应该是2Mhz，原因如下 保证测量精度 ‌：示波器的带宽是指其能够准确测量的信号频率范围。当示波器带宽为信号频率的5倍以上时，可以确保被测波形的衰减在可接受范围内（通常≤2%），从而保证测量的准确性。如果带宽过低，示波器将无法解析高频率的变化，导致测量误差增大‌。 ‌ 适应复杂信号 ‌：大多数实际信号比简单的正弦波要复杂得多，可能包含多种频率成分。为了确保能够准确捕获和显示这些复杂信号的所有细节…
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  • [参考译文] LM5145-Q1：LM5145-Q1原理图审阅

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM5145-Q1 , LM5145 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1428801/lm5145-q1-lm5145-q1-schematics-review 器件型号…
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  • [参考译文] LM5145：如何在通过 Kmid 和 Rfb1计算 RC1时得到 Kmid 值？

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM5145 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1428183/lm5145-how-to-get-the-kmid-value-when-i-calculate-the…
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：直流/直流降压调节24V 至12V 转换器、负载25A

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我只是给你发送一个朋友邀请,我们可以分享我们的电子邮件离线通信。
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  • RE: [参考译文] LM5145：分流电阻器放置

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Suzanne： LM5145可以通过低侧 MOSFET Rdson 检测或分流电流检测来检测相对于 GND 的电流。 看一下 LM5148 80V 峰值电流模式 控制器、该控制器使用与电感器串联的分流器进行电流检测。 此致、 TIM
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：环路响应

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 请使用 LM5145快速入门计算器帮助设计 LM5145 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 的补偿。 此外、数据表中还提供了各种传递函数(Vout 至 COMP 和 COMP 至 Vout)。 此致、 TIM
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：稳压器输出未调节、即使未触发 ILIM、软启动也保持低电平

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢您提供的信息。 FB 是一条关键布线、应该尽可能短(保持下部 FB 电阻器刚好跨过 FB 和 AGND 引脚)。 此外、参考数据表中的布局指南、SW 应是绝对最小面积。 散热方法是使用电感器、并在高侧 FET 漏极上使用铜、而不是 SW 铜。 此致、 TIM
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：LM5145-Q1负载调节

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Venu： 请发送完整的快速启动计算器文件(这是电路设计中的关键文件、特别是了解波特图、功率损耗等信息) https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC。 另外,让我们来看看 PCB 布局——请参阅应用手册 SNVA803了解组件布局指南。 另外、请参阅 LM5145数据表中的应用电路#3作为参考(24Vout、150W、440kHz…
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  • RE: [参考译文] LM5145：轻负载导致高侧 MOSFET 故障

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 很高兴听到这个消息。 影响开关损耗的是低侧 FET 的 Coss (和 Qoss)。 —— TIM

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