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  • RE: [参考译文] LM5148-Q1：最大额定输出电流确认

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 当然、Mark、没问题。 您还可以看看 LM5145 (75V)或 LM5146 (100V)电压模式控制器、它们具有7.5V 栅极驱动器、因此开关速度更快、有助于降低高侧 FET 损耗。
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  • RE: [参考译文] LM5146：NC 引脚连接建议

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nicolas、 继续将这些引脚连接到 IC 的接地覆铜处、因为这样可以改善散热。 在这种情况下(LM5146/LM5145/LM25145)、内部没有"电气连接"。 对于模棱两可的情况、很抱歉。 此致、 时间

  • LM5145: PSpice for TI仿真问题

    TI 认为已经解决
    Part Number: LM5145 基于官方提供的仿真模型，我想尝试对LM5145进行脉冲负载工况下的仿真，请问如何在仿真图纸里添加脉冲负载？
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  • RE: [参考译文] LM5143：TI.com 同步降压 FET 损耗计算器结果可疑？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Andrew、您好！ 是的、必须添加驱动器灌电流/拉电阻以及内部 FET 电阻和任何外部栅极电阻。 这些计算在 LM5143快速入门计算器中提供。 查看 LM5145数据表中的相关表达式、包括 Coss、后者很关键。 另外、请注意栅极驱动器电源电压(VCC)的重要性、因为减去米勒平坦区域的电压会设置在总栅极电阻两端出现的栅极电压过驱、从而设置高侧导通时的 SW 电压压摆率…
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  • RE: [参考译文] LM5146-Q1：30A 电流限制支持

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shuai： 可以让一个相在60Vin 电压下工作、在30A 电流下在54Vout 电压下工作、但需要仔细检查热性能。 也可以选择 LM5145-Q1 75V 控制器(LM5146-Q1 100V 的姊妹器件)、因为它具有引脚对引脚兼容性、但成本稍低。 请确认"电流限制监控器"的意思。 此控制器将限制设定点处的电流并进入自动切断与恢复模式、这意味着开关将在定义的时间间隔内停止…
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  • [参考译文] LM5146：LM5146的设计参数

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM5145 , LM5146 , LM5146-Q1-EVM12V , LM5146DESIGN-CALC , LM25145 , CSD18563Q5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management…
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：LM5145-Q1

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 赫洛尔·韦努 在测量开关噪声时、请确保您使用的是短接地引线。 请参阅 此处的示例 然后、请尝试将 R53增加到~ 2-5欧姆、这会在提高 MOSFET 温度的同时降低开关速度。 - EL
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：LM5145-Q1

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 赫洛尔·韦努 在测量开关噪声时、请确保您使用的是短接地引线。 请参阅 此处的示例 然后、请尝试将 R53增加到~ 2-5欧姆、这会在提高 MOSFET 温度的同时降低开关速度。 - EL
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  • RE: [参考译文] LM5146：WBench 电源设计器输出验证

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nicolas、 让我们来看看 LM5145 EVM、因为它是一款双面设计、下方具有控制器。 LM5145实际上是相同的控制器、只是将最大输入电压额定值降低为75V。 此致、 时间
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  • RE: [参考译文] LM5148：HO、LO MOSFET 和电感器在连接负载后会被加热。 此外、开关和 HO 波形在高负载

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Sanjana： 只需查看快速启动、10A 满载时高侧 FET 功率损耗为2W。 确保此处没有栅极电阻器来降低开关速度、因为这将使热情况加剧。 另外，快速入门提到了低侧 FET IAUC70N08S5N074ATMA1——因为它不是一个逻辑电平器件，所以在这里肯定不起作用。 Rdson 的额定值必须为 Vgs = 4.5V 适合与具有5V 栅极驱动的 PWM 控制器配合使用…

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