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  • RE: [参考译文] LM25145：如何解决振铃问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 该 FET 具有111nC 的超高 Qrr -尝试使用较低的 Qrr 来改善噪声行为、例如 CSD18563Q5A。 请参阅此处的快速入门： https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：环路响应

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 请使用 LM5145快速入门计算器帮助设计 LM5145 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 的补偿。 此外、数据表中还提供了各种传递函数(Vout 至 COMP 和 COMP 至 Vout)。 此致、 TIM
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  • RE: [参考译文] LM5146-Q1：FB 电压仅为0.3V

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Stephan、您好！ 原理图模糊。 另外、请 在 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 发送有关此设计的完整快速入门文件。 PS：我不建议将 LC 后置滤波器与电压模式控制器配合使用。 此外、没有铝电解输出电容器、因为 ESR 过高、在低温条件下会显著增加、从而使稳定性更复杂。 此致、 TIM
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  • RE: [参考译文] LM5146：ILIM RC 电路和电流限制问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Benjamin： ILIM 电容仅用于防止 ILIM 引脚电压变为负值。 增加时间常数将影响高占空比(低 toff)下的检测、因为 ILIM 电压下降速度不会像 SW 电压那么快。 请注意、电流限制设定值取决于 Vgs = 7.5V 时的低侧 FET Rdson。 发送快速启动文件以供查看-这是最新版本： https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN…
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  • RE: [参考译文] LM5146-Q1：额定功率耗散

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 根据 IC 的 Rth、大约1W 是您想使用的最高功率。 您可以使用外部 VCC (8-13V)来降低功率耗散、例如来自12V 输出的功率耗散。 PS：使用这个 涵盖整个系列的快速入门文件 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC (您可以从下拉菜单中选择 LM5146)。 LM5146快速入门工具文件夹具有旧版本的文件(我应该很快进行更新…
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：直流/直流降压调节24V 至12V 转换器、负载25A

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jayanthi ： 请使用 LM5145快速入门计算器帮助选择元件 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC。 请注意、LM5145 EVM 是采用80V FET 的5V/20A/225kHz。 但是、如果 Vin-max = 48V、您可能会在此处使用60V FET。 此外、还可以查看 LM5145和 LM5146数据表中的应用示例…

  • RE: [参考译文] LM5146：开关频率问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Neo： 我怀疑设计不稳定-请完成快速入门计算器查看 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC。 请注意、在8VDC 时、22uF/25V 输出电容将为~10uF。 将交叉频率设置为< 25kHz。 电解电容器的 ESR 是多少？ 我们可能还需要检查布局。 请参阅数据表中的布局指南、并参阅应用手册 SNVA803了解输入电容器的放置…
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  • [参考译文] LM5145：原理图检查

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5145 , LM5145DESIGN-CALC 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1209171/lm5145-schematic-check 器件型号： LM514…
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：LM5145-Q1负载调节

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 请填写快速入门计算器文件(网址为 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC)。 电流限制设定值取决于 MOSFET RDSon。 当您从1.69kΩ 降低到422Ω 时、它应该增加4倍。 这里的输入电压是多少？ 您可能不需要100V FET - 60V 或80V 就足够了。 SIR870DP 具有82nC 的高 Qrr、这可能会增加整体噪音水平并影响控制器操作…
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  • RE: [参考译文] LM5145：振荡。 FAULT OCP 触发器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 我建议检查稳定性、因为由此产生的振荡有可能达到电流限制。 请填写快速入门计算器 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 、要特别注意输入输出电容值及其 ESR。 请注意、陶瓷的电容会随着电压的降低而降额、例如、在24VDC 时、一个10uF/50V/X7R/1210陶瓷电容器可能为~3uF。 还应该看看 LM5145数据表中的应用示例…

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