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RE: [参考译文] LM5145-Q1：关于禁用功能

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好 CSC、 COMP 网络仍是绝对必要的操作。您可以使用 DAC 动态调整输出电压。请参阅 https://www.ti.com/lit/an/slyt777/slyt777.pdf 中的图8和公式4 此外、您为什么要使用并联电感器？我强烈建议只使用单个电感器。您能否填写 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC? 希望这对您有所帮助…
- 2 年多前
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RE: [参考译文] LM5116：电源管理论坛

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好、Bindu、查看 LM5145 75V 控制器及其快速入门计算器 www.ti.com/.../LM5145DESIGN-CALC。这样、您就可以根据输入的参数查看 MOSFET 功率损耗。请注意、LM5145 EVM 设置为5V/20A/225kHz、采用80V FET (高侧 FET 与上文所述相同)。 5.25V/10A 不应成为问题。此致、 …
- 3 年多前
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RE: [参考译文] LM5145：LM5145

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好、Ashwini、请使用 PSPICE for TI 进行电路仿真。此外、您还可以使用 LM5145快速入门计算器来帮助进行组件选择、波特图审阅和效率估算。 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 此致、 Tim
- 3 年多前
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RE: [参考译文] LM25145：MOSFET 要求

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好、Terry、对于占空比较低的应用、建议使用不同的 MOSFET、这是因为具有低占空比的 HS MOSFET 可以牺牲 Rdson 来实现较低的栅极电荷、HS MOSFET 中较低的栅极电荷将实现较低的开关损耗。对于具有低占空比的 LS MOSFET、将导致 LS MOSFET 在开关周期中的大部分时间处于导通状态、这意味着牺牲栅极电荷来实现低 Rdson。此外、LS…
- 1 年多前
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RE: [参考译文] LM5145：LM5145波特图问题

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好！这可能是高频下的测量设置误差。此外、请确保滤波器已充分阻尼。如果问题仍然存在、您可以转发原理图和完整的 LM5145快速入门计算器文件以供查看： www.ti.com/.../LM5145DESIGN-CALC 此致、 Tim
- 4 年多前
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RE: [参考译文] LM5145EVM-HD-20A：将输出从5V@20A 修改为13V@20A

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。你(们)好是的、可以修改、可以使用以下链接重新计算组件值、在最终设计中、可能需要两对具有良好散热方法的 MOSFET 来避免热问题。 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC
- 5 年多前
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RE: [参考译文] LM5145EVM-20A：11至65伏输入电压，输出电压范围为20至29.2。阿可斯特。 10安培输出电流

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。你好，詹姆斯，线程标题中的规格表明，Vin－min 小于 Vout，需要降压-升压控制器(如 LM5176)。例如，在具有20V 输出设定点的11V 输入时，降压将在压降下操作，这样 Vout 将略低于 Vin。如果这是标准的降压设计，则可以使用 LM5145快速启动计算器进行设计。 LM5145DESIGN-Calc 计算工具| TI.com 此致，蒂姆 …
- 3 年多前
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RE: [参考译文] LM5145：效率

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好、Ding、感谢您提出问题。您可以使用 LM5145快速入门计算器文件来检查效率和功率损耗。使用30V 或40V NexFET 时、可实现大于95%的效率。请注意、如果 Vin-max < 42V、则可以使用 LM25145。此致、 Tim www.ti.com/tool/lm5145design-calc
- 5 年多前
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RE: [参考译文] LM5145：回复：提交以进行设计审查

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好、请完成此设计并发送 LM5145快速入门计算器： https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 。原理图看起来不错、但如果 Vinmax 为36V、则可以使用60V FET。试用 CSD18563Q5A。此外、您还可以将 NC 引脚连接到 GND。请注意、如果您需要更小、更易于实施的解决方案、而无需外部 FET (目前很难提供…
- 3 年多前
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RE: [参考译文] LM25145：请帮助确认 LM25145可以通过 LM5145正常运行

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。尊敬的 Mike：这两个器件应兼容 BOM。但我建议使用 LM5145的计算器工具并部署您的应用详细信息、以检查两个器件之间的 BOM 兼容性。 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 此致、 Ankit Gupta 应用工程师
- 5 年多前
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