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  • RE: [参考译文] LM5146：来自外部源的 SYNCIN

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Daniel： 您的小信号布局没有那么好、尤其是关于 FB 放置和布线。 较低的 FB 电阻器理想地放置在靠近 FB 和 AGND 引脚的位置、以尽可能减少噪声易感性。 此外、还应尽量减小 FB 到 COMP 环路。 也许您可以将 FB 阻抗降低10倍、这应该会降低噪声降低。 但是、更改 FB 电阻时必须重新计算补偿值、请使用快速入门计算器。 https://www…
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146和外部 MOSFET 的温度过高

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lumina, 请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC MOSFET 会根据其功率耗散而变热。 高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。 请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。 这里有有助于低侧 FET…
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146和外部 MOSFET 的温度过高

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lumina, 请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC MOSFET 会根据其功率耗散而变热。 高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。 请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。 这里有有助于低侧 FET…
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146和外部 MOSFET 的温度过高

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lumina, 请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC MOSFET 会根据其功率耗散而变热。 高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。 请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。 这里有有助于低侧 FET…
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  • RE: [参考译文] LM5146：低侧 MOSFET 在重负载下会发烫

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Suy： 我不确定您的 comp 值在1mF 电容下是否稳定。 它的 ESR 是什么？ 稳定性取决于输出电容、ESR 和补偿值。 使用快速入门计算器提高 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC 的稳定性 还要确保低侧 FET 周围的布局能够散热。 即 GND 多边形需要连接到一个较大的铜区域、然后散热过孔也会有所帮助。…
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  • [参考译文] LM5146-Q1：低效率、高端 Mos 热点问题

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5146DESIGN-CALC 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/813661/lm5146-q1-low-efficiency-high-end-mos-hot…
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  • RE: [参考译文] LM5146：启动时发生过流-开关节点波形不良

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 您能否分享您实际更新的原理图？ 您还可以将 Excel 计算器附加到 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC 看起来两个 FET 都关断、SW 节点在 VOUT 周围振铃。 这是二极管仿真的正常情况。 您可以通过检查 HO 和 LO 来检查 FET 是否都导通(跨导)。 启动至满载还是空载？ 这会在空载时发生吗…
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  • RE: [参考译文] WEBENCH®︎工具/LM5146-Q1：LM5146-Q1

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Alex： 很抱歉、我们没有 TINA 模型、您可以尝试 PSPICE 仿真模式吗？ 您还可以使用 Webench 或计算工具进行应用电路设计： http://www.ti.com/tool/lm5146design-calc B R Andy
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  • RE: [参考译文] WEBENCH 电源设计器：LM5116 CAN#39；t 更新设计中的 MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jose、 不确定为何在 WEBENCH 中同时更新两个 FET -它可能与功率损耗优化相关。 无论如何、请查看 LM5146 100V 控制器及其快速入门计算器(因为它允许输入 MOSFET 参数以进行损耗计算)。 LM5146是 LM5116的下一代控制器、可提供更好的性能和更低的成本。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN…
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  • RE: [参考译文] LM5146-Q1：Webench 仿真中的输出电压较低

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Danilo、 我们计划发布更新的 LM5146-Q1模型时、应尽快解决此问题。 同时、我建议使用 LM5146-Q1快速入门计算器来帮助进行电源设计、组件选择、效率和波特图审查等 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC 请注意、LM5145数据表中有一个24V 输出应用示例、该示例也适用于 LM5146-Q1。 …

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