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  • RE: [参考译文] LM5146：输出电压发生显著变化。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Pavan、 请随附一个快速入门计算器。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC 您的补偿组件可能未进行优化。 还需要针对输出电容优化补偿元件、对陶瓷使用降额输出电容。 优化环路、实现60度的相补角。 希望这对您有所帮助。 -奥兰多
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  • RE: [参考译文] LM5146：原理图审阅

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Desireddy。 为什么要在 LM5146的 VIN 上放置铁氧体磁珠？ 我认为这是没有必要的，应该删除。 请填写并附加两个设计计算器电子表格、以便我们检查您的设计： https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC -奥兰多
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  • RE: [参考译文] LM5146：来自外部源的 SYNCIN

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Daniel： 您的小信号布局没有那么好、尤其是关于 FB 放置和布线。 较低的 FB 电阻器理想地放置在靠近 FB 和 AGND 引脚的位置、以尽可能减少噪声易感性。 此外、还应尽量减小 FB 到 COMP 环路。 也许您可以将 FB 阻抗降低10倍、这应该会降低噪声降低。 但是、更改 FB 电阻时必须重新计算补偿值、请使用快速入门计算器。 https://www…
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  • RE: [参考译文] LM5146：来自外部源的 SYNCIN

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Daniel： 您的小信号布局没有那么好、尤其是关于 FB 放置和布线。 较低的 FB 电阻器理想地放置在靠近 FB 和 AGND 引脚的位置、以尽可能减少噪声易感性。 此外、还应尽量减小 FB 到 COMP 环路。 也许您可以将 FB 阻抗降低10倍、这应该会降低噪声降低。 但是、更改 FB 电阻时必须重新计算补偿值、请使用快速入门计算器。 https://www…
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  • [参考译文] LM5146-Q1：WEBENCH®︎工具/LM5146-Q1：

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5146 , LM5146DESIGN-CALC 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/949740/lm5146-q1-webench-tools-lm5146-q1 …
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146和外部 MOSFET 的温度过高

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lumina, 请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC MOSFET 会根据其功率耗散而变热。 高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。 请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。 这里有有助于低侧 FET…
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146和外部 MOSFET 的温度过高

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lumina, 请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC MOSFET 会根据其功率耗散而变热。 高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。 请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。 这里有有助于低侧 FET…
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  • RE: [参考译文] LM5146：LM5146和外部 MOSFET 的温度过高

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Lumina, 请将 MOSFET 规格输入到快速入门计算器中。 这样可估算功率损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC MOSFET 会根据其功率耗散而变热。 高侧 MOSFET 通常具有用于散热的 VIN 过孔和 VIN 多边形。 请参阅 Q1下的 VIN 过孔和 Q2附近的 GND 过孔。 这里有有助于低侧 FET…
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  • RE: [参考译文] LM5146：低侧 MOSFET 在重负载下会发烫

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Suy： 我不确定您的 comp 值在1mF 电容下是否稳定。 它的 ESR 是什么？ 稳定性取决于输出电容、ESR 和补偿值。 使用快速入门计算器提高 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC 的稳定性 还要确保低侧 FET 周围的布局能够散热。 即 GND 多边形需要连接到一个较大的铜区域、然后散热过孔也会有所帮助。…
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  • [参考译文] LM5146-Q1：低效率、高端 Mos 热点问题

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5146DESIGN-CALC 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/813661/lm5146-q1-low-efficiency-high-end-mos-hot…

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