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• RE: [参考译文] LM25149：为高端和低端应用使用相同的 MOSFET

  

  admin

  已解决

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Gert、 高侧 FET 上的较大栅极电荷会减慢开关节点上升时间和下降时间。 较慢的 SW 时间会增加开关转换损耗。 请尝试快速入门计算器、您可以在其中填写 MOSFET 规格并估算高侧和低侧 FET 的损耗。 https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC (BTW 在4.5V 时使用 QG、因为 LM5148为5V…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LM5149-Q1：可完成#39；t RISE 至24V 负载。

  

  admin

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Lina： 软启动时间为~3ms、它应在线性斜率的该3ms 内从0V 上升到24V。 启动的阶梯波形是不可预料的。 您没有 LM5149的 VCC。 LM5148 VCC 电压是否持续为5V？ 此外、VIN 电压不应降低。 您的电源电流是否受到限制？ 此外、请使用快速入门计算器仔细检查您的补偿设计。 https://www.ti.com/tool/LM5149…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LM25148：输出电压降至3A 以上

  

  admin

  已解决

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jean： 您是在 IC 还是 FET 上测量这些栅极驱动 HO 和 LO 信号？ 当 VOUT 以4A 的电流下降时、SW 节点看起来会是什么样子？ 它稳定吗？ 此外、您的 VIN 在该情况下是否稳定？ 您可以附加一个快速入门计算器吗？ https://www.ti.com/tool/LM5148-LM25148DESIGN-CALC 我认为您的 HO 和 LO…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LM25148：原理图审阅

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 您可以仔细检查并附上 LM5148快速入门计算器吗？ https://www.ti.com/tool/LM5148-LM25148DESIGN-CALC 电流感应电阻器应该是~Ω 3mΩ 以设置20A 峰值电流限制。 4mΩ 设置 A 峰值 电流限制为15A、其中平均输出电流将较低。 VDDA 电容器过大、可能仅为0.1uF。 我认为 CNFG 电阻不正确…

  • 1 年多前
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• LM5148-LM25148DESIGN-CALC: LM5148高温缓升实验异常

  

  jie song

  TI 认为已经解决

  Part Number: LM5148-LM25148DESIGN-CALC Other Parts Discussed in Thread: LM5148 我们在做高温缓升实验时，当输入电压VIN达到3.8V，此时5148的使能拉高，发现5148的输入VIN被拉低到3.2V，同时监测3.3V输出，发现其输出出现拉低到2.4V，使得后级机器起不来。如下图（1通道为VIN输入，3通道为3.3V输出） 看LM5148的规格书，其工作电压为3.5V~80V，请问是否会因为输入电压太极限了，导致这种输出电压跌落的异常…

  • 2 年多前
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• RE: LM5148-LM25148DESIGN-CALC: 低温-40℃时LM5148概率性工作异常

  

  Johnsin Tao

  HI 确认一下MCU输出EN信号是否因为MCU这边的异常导致EN不稳定？ 直接测试EN信号。 如果怀疑时序，你可以直接波形确认：看看EN, VIN等等。

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] LM25148：原理图检查

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Gareth、 请填写并附上 LM25148快速入门计算器。 https://www.ti.com/tool/LM5148-LM25148DESIGN-CALC 使用快速入门计算器重新计算补偿组件。 2.1MHz 时的12V 输出开关可能会在 MOSFET 上看到非常大的损耗。 使用快速入门计算器检查高侧 FET 功率耗散。 如果功率超过2或3瓦、我建议降低开关频率…

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] LM25148-Q1：FET 选择和库存器件

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jon、 CSD18512Q5B 应与 LM25148-Q1搭配使用。 RDSON 越低，实际效率就越高。 您可以使用 WEBENCH 或 LM5148-LM25148DESIGN-CALC。 对于任何 MOSFET 、您肯定需要确保阈值电压 VGS (TH)小于栅极驱动器电压。 CSD18512Q5B 阈值为1.9V、低于 LM25148-Q1的5V 栅极驱动器…

  • 3 年多前
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