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  • [参考译文] LM51521-Q1：输出噪声问题

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5152-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1394763/lm51521-q1-output-noise-issue 器件型号： LM51521-Q1 Thread…

  • RE: [参考译文] LM51521-Q1：输出电压达到稳定所需的时间

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 部分校正 器件型号：LM51521-Q1、但正确答案是 LM5152-Q1。
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  • RE: [参考译文] LM51521-Q1：Vout 反向至 Vin

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Jeff、您好！ 您要测量 L44处的电流。 那么、该信号的形状对我来说更有意义。 LM51251提供三种轻负载开关模式。 当您将 MODE 引脚设置为 GND 时、您选择 DE 模式、当您使其保持悬空时、您将选择跳跃模式。 数据表中提供了 MODE 引脚的说明： 器件开关模式(FPWM、二极管仿真或跳跃)选择引脚。 如果引脚开路或在初始上电期间在引脚与 AGND 之间连接了大于500…
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  • RE: [参考译文] LM51521-Q1：布局审查

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jeff： 很抱歉我得到了以下的延迟： - CSn 和 CSP 线路正在穿过 Q2 FET、这可能不是很可取、因为可能会有从 Q2到电流检测线路的噪声拾取、但它们之间有一个接地层、因此应该没问题。 但按照规则、最好避免这种情况。 此外、C536应尽可能靠近 IC、而且在布局中、我可以看到、它能够更靠近 IC。 -当电流经过高侧 FET 的 Q2时,输出电容在升压模式和旁路模式之间共享…
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  • RE: [参考译文] LM51521-Q1：如何测量环路响应

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Kazuki： 请告诉我、改进布局后会发生什么情况。 我没有任何适用于不同负载条件的 LM5152波特图。 和 EVM 的不同器件。 那么、以下是满载条件下的波特图：(400W) 这里是几乎为半负载的条件： (160W) 希望这对您有所帮助。 Br、 哈龙
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  • [参考译文] LM51521-Q1：与 BIAS 引脚相关的启动序列

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    Other Parts Discussed in Thread: LM51521-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1328955/lm51521-q1-start-up-sequence-regarding-bias-pin …

  • RE: [参考译文] LM51521-Q1：原理图审阅

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我将关闭该线程、因为它是通过 FAE 的内部线程的副本。
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  • RE: [参考译文] LM51521-Q1：当 Vin 高于 Vout 时

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Jeff、您好！ 只要您在引脚14上启用电荷泵用于高侧驱动、LM5152就会导通高侧 FET 以降低功率耗散。 此致、 布里吉特
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  • RE: [参考译文] LM51521-Q1：推荐用于 IAUC60N04S6L039的栅极电阻器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Kazuki： 感谢您的联系。 通常建议 在 PCB 设计中为栅极电阻器添加空间、这样可以提供更高的灵活性、 LM5152EVM-BST 中也是如此。 在 IAUC60N04S6L039 的数据表中、我没有看到 MOSFET 的内部栅极电阻值、因此我们无法准确地将其考虑在内。 由于数据表中未给出栅极电阻的计算方法、我建议您查看 栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 。 如果您有任何问题…

  • RE: [参考译文] LM51521-Q1：原理图审阅

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jeff： 您能否填写此 Excel 表格计算器工具？ 这将使我们能够以高效的方式查看您的原理图。 https://www.ti.com/tool/download/SLVRBL5 谢谢！ Br、 哈龙

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