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  • [参考译文] LM5158：您是否具有 LM5158EVM-BST 的任何 PSPICE-FOR-TI 原理图数据？

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5158 , PSPICE-FOR-TI , LM5158EVM-BST , TINA-TI 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1344514/lm5158-do-you…
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  • [参考译文] LM5158EVM-BST：计算板上24V 输入电压和83V 输出电压的值？

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5158EVM-BST 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1320938/lm5158evm-bst-calculator-for-the-values-on-the…

  • RE: [参考译文] LM5158：将电源从24V 升压至60V

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Niklas 您可以参阅 LM5158EVM-BST 用户指南(修订版 A)的第14页(TI.com) 谢谢 LM5158EVM-BST R5=51k R12 = 10K R14 = 21.1K c25 = 22 μ F C27 = 330pF C26 = 15nF R19 = 5.1K R8 = 147K R13 = 2.47K L2=22uH/XAL5050…
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  • [参考译文] LM5157-Q1：最大输入/输出电压

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5157-Q1 , LM5158-Q1 , LM5156-Q1 , LM5157 , LM5158 , LM5156 , LM5156EVM-BST , LM5158EVM-BST 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power…
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  • RE: [参考译文] LM51581-Q1：输出电容、在启动、线路瞬变期间最小化下冲

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Noriyuki： 感谢您通过 e2e 联系我们。 1) 铝电解电容器可替换为具有相同电容的陶瓷电容器。 但请注意陶瓷电容器的直流偏置效应、因此标称额定电压必须远高于输出电压。 2) 如果仔细选择所有外部组件、尤其是补偿网络、则可以最大限度地减少启动期间外部条件变化导致的下冲。 特别是低侧 FET 位于器件内部这一事实将有助于减小寄生效应并将下冲保持在较低水平。 …
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  • RE: [参考译文] LM51581-Q1：输出电容、在启动、线路瞬变期间最小化下冲

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Noriyuki： 感谢您通过 e2e 联系我们。 1) 铝电解电容器可替换为具有相同电容的陶瓷电容器。 但请注意陶瓷电容器的直流偏置效应、因此标称额定电压必须远高于输出电压。 2) 如果仔细选择所有外部组件、尤其是补偿网络、则可以最大限度地减少启动期间外部条件变化导致的下冲。 特别是低侧 FET 位于器件内部这一事实将有助于减小寄生效应并将下冲保持在较低水平。 …
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  • RE: [参考译文] LM51581-Q1：输出电容、在启动、线路瞬变期间最小化下冲

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Noriyuki： 感谢您通过 e2e 联系我们。 1) 铝电解电容器可替换为具有相同电容的陶瓷电容器。 但请注意陶瓷电容器的直流偏置效应、因此标称额定电压必须远高于输出电压。 2) 如果仔细选择所有外部组件、尤其是补偿网络、则可以最大限度地减少启动期间外部条件变化导致的下冲。 特别是低侧 FET 位于器件内部这一事实将有助于减小寄生效应并将下冲保持在较低水平。 …
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  • RE: [参考译文] LM51581-Q1：输出电容、在启动、线路瞬变期间最小化下冲

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Noriyuki： 感谢您通过 e2e 联系我们。 1) 铝电解电容器可替换为具有相同电容的陶瓷电容器。 但请注意陶瓷电容器的直流偏置效应、因此标称额定电压必须远高于输出电压。 2) 如果仔细选择所有外部组件、尤其是补偿网络、则可以最大限度地减少启动期间外部条件变化导致的下冲。 特别是低侧 FET 位于器件内部这一事实将有助于减小寄生效应并将下冲保持在较低水平。 …
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  • RE: [参考译文] LM51581-Q1：输出电容、在启动、线路瞬变期间最小化下冲

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Noriyuki： 感谢您通过 e2e 联系我们。 1) 铝电解电容器可替换为具有相同电容的陶瓷电容器。 但请注意陶瓷电容器的直流偏置效应、因此标称额定电压必须远高于输出电压。 2) 如果仔细选择所有外部组件、尤其是补偿网络、则可以最大限度地减少启动期间外部条件变化导致的下冲。 特别是低侧 FET 位于器件内部这一事实将有助于减小寄生效应并将下冲保持在较低水平。 …

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