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  • RE: lm5175，VCC输出问题？

    你好楼主，我也遇到你相似问题，你的如何解决的，谢谢
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  • [参考译文] LM5175：UVLO 原理图检查

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/774401/lm5175-uvlo-schematic-check 器件型号： LM5175 大家好、 我的客户将 EN/UVLO 设置从3.3V (10K)上拉更改为 VBAT 和205K 和47…
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  • RE: LM5175电压升高（8-30V），电流降低（输出12V5A）

    已解决
    HI 感谢分享。 其实也建议注意一下功率回路，与sense电阻layuot, 这些也经常影响带载能力。

  • [参考译文] LM5175：LM5175：断续模式保护与平均输出电流限制

    Other Parts Discussed in Thread: LM5175 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/566895/lm5175-lm5175-hiccup-mode-protection-vs-average-output…
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  • [参考译文] LM5175：输出噪声

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM5175 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/753328/lm5175-output-noise 器件型号： LM5175 您好！ 我们使用的是 LM5175、可以看到输出端的噪声…
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  • RE: [参考译文] LM5175：要使用哪些 FET？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你(们)好 负责的工程师现已不在办公室。 他将在4月23日之前答复。 此致 EL
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  • [参考译文] LM5175：电路未正确加电

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM5175 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/772241/lm5175-the-circuit-does-not-power-up-correctly 器件型号： L…
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  • RE: [参考译文] LM5175：LM5175RHF 接地噪声问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、柏林、 它生成一个斜率信号、用于斜率补偿以实现稳定性。 LM5175是一个电流模式控制电路、它需要斜坡补偿。 谢谢、 Youhao

  • LM5175电感有声音

    按照LM5175-EVM参考的电路做出来后，30V输入19V输出空载时都有消耗电流47mA,，电感有发出声音，6A带载效率可以达到96.3%，图为降压时SW1波形 12V输入19V输出空载时有消耗电流53mA,，电感有发出声音，3A带载效率可以达到94.2%,,图为升压时SW2波形，帮忙分析一下，谢谢
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  • RE: [参考译文] WEBENCH®︎工具/LM5175：19 LM5175PWPR 12V-30V 至28.00V @ 15A

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Orfeo、 感谢您的更新。 您所做的是创建死区时间的正确方法：减慢电阻器的导通速度、并加快通过二极管的关断速度。 为了确保不再发生击穿、请监控高侧和低侧 FET 的 Vgs、并查看两个 FET 之间至少20ns~30ns 的死区时间、在 FET 的 Vth 电平上测量。 请避免死区时间过长。 我们建议在并联 FET 之前添加1欧姆左右的栅极电阻器。 因此、在这种情况下…

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