Other Parts Discussed in Thread: LM5175 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/772241/lm5175-the-circuit-does-not-power-up-correctly 器件型号： L…
Other Parts Discussed in Thread: LM5175 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/762356/lm5175-super-light-load-behavior 器件型号： LM5175 大家好、
我将…
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Orfeo、
感谢您的更新。 您所做的是创建死区时间的正确方法：减慢电阻器的导通速度、并加快通过二极管的关断速度。
为了确保不再发生击穿、请监控高侧和低侧 FET 的 Vgs、并查看两个 FET 之间至少20ns~30ns 的死区时间、在 FET 的 Vth 电平上测量。 请避免死区时间过长。
我们建议在并联 FET 之前添加1欧姆左右的栅极电阻器。 因此、在这种情况下…
Other Parts Discussed in Thread: LM5175 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/758839/lm5175-about-evm-no-snvu440a 器件型号： LM5175 尊敬的专家：
我的问题来自…
Other Parts Discussed in Thread: LM5175-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/610253/lm5175-q1-lm5175-q1---external-clock-synchronization…
Other Parts Discussed in Thread: LM5175 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/756261/lm5175-internal-power-dissipation-calculation 器件型号： LM…
