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  • RE: [参考译文] LM61495：CFF

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 我建议从10pF 开始、并将 CFF 电容器从那里增加到所需的环路响应和负载瞬态性能。 此致、 Jimmy
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  • RE: [参考译文] LM61495：将 VOUT 5V 更改为8V、它是否对 EFT 测试有影响？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Lillian、 我认为我们没有对器件进行任何 EFT 测试、因为这更多是由客户进行评估和验证。 从我的结尾开始、我没有让客户再次遇到使用前面提到的电阻器的问题。 如果您提到的较低电阻值( RFBT=27kΩ Ω 、RFBB=3.9kΩ Ω 以实现 VOUT=8V)有助于提高抗噪性能。 此致、 Jimmy
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  • RE: [参考译文] LM61495：LM61495需要 TINA 模型

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Niranjan、 我们有一个 Spice 模型可以提供帮助，而且 webench 也是帮助 SCH 设计的好工具。 https://www.ti.com/lit/zip/snvmc87 https://webench.ti.com/power-designer/switching-regulator/create/customize?&VinMin=6&VinMax…

  • RE: [参考译文] TPS51397A：Vin19V Vout 1V/10A 时的效率

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jeff： 您是否有效率目标？ 在19VIN/1VOUT/10A 时是否高于80%？ 您可以使用较低的 DCR 电感器来提高 效率百分比。 TPS51362是一个不错的选择。 很抱歉 、我 没有 数据可以比较 相同 BOM 和相同运行条件下的两个器件效率。 LM61495 不属于我们的产品线。 如果您有效率目标、您可以创建一个新线程、询问相应的 AE LM61495是否 可以满足…
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  • RE: [参考译文] LM61495：尺寸与放大器；容差

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 请参阅数据表中显示的封装轮廓和模板设计示例。 有关 RPH0016B 封装的信息、 请参见第58页。 此致、 Jimmy
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  • RE: [参考译文] TPS62816-Q1：外部时钟上的 SSC 是否正常？ 关于 TPS62816、TPS62812-Q1、LM61495-Q1？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Paul： LM61495-Q1数据表显示了在检测同步信号时必须满足的典型同步/模式波形。 我想只要"抖动"外部同步源满足同步振幅阈值和最小同步上升/下降脉冲持续时间、稳压器的开关频率就应该与外部时钟同步。 我强烈建议您在 EVM 上进行测试、以正确评估行为。 此致、 Jimmy
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  • RE: [参考译文] LM61495-Q1：85°C 环境温度下的热问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、电子 感谢您的更新。 频率越低、效率越高、功耗越低。 这将导致零件冷却。 此致、 Jimmy
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  • RE: [参考译文] LM61495-Q1：LM61495-Q1

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 图9-51显示了400kHz 的 EMI 滤波器、图9-57显示了2.2MHz 的 EMI 滤波器。 此致、 Jimmy
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  • RE: LM25116: DC-DC芯片选型

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    Hi 不建议选择LM25116, 原因是这个芯片采用外部补偿， 如果要输出可调，不建议范围过大，原因是固定补偿对应固定的输出电压，小范围调节可以，偏离过大可能导致环路不稳定的情况。 建议采用LM3150， LM61495之类的芯片. 如果你已经选用LM25116, 设计时补偿电路对应8V左右，并且在调节范围内，纹波符合需求。 出现MOS发热严重的情况，建议你选择Qg， Rdson尽量小的MOS, 同时注意layout上MOS的散热设计。
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  • [参考译文] LM61460-Q1：LM63460-Q1和 LMQ61460之间的差异

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    Other Parts Discussed in Thread: LM61460-Q1 , LMQ61460-Q1 , LM63460-Q1 , LMQ61460 , LM61495-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1134292/lm61460…
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