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  • RE: [参考译文] LM5113：DCDC 1/4 1000W 转换器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 好的、明白了。 因此、出于测试目的 (为了测试我们手头的现有 PCB 板) 、可以尝试 www.ti.com/.../LMG1205HBEVM、对吧？ 1.解焊 LM5113SD 2.将来自 Microchip 控制器的 PWM 信号连接到 LMG1205HBEVM 3.将 EVM 板的输出连接到 EPC 晶体管栅极
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  • RE: [参考译文] LM5113：DCDC 1/4 1000W 转换器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 好的、明白了。 因此、出于测试目的 (为了测试我们手头的现有 PCB 板) 、可以尝试 www.ti.com/.../LMG1205HBEVM、对吧？ 1.解焊 LM5113SD 2.将来自 Microchip 控制器的 PWM 信号连接到 LMG1205HBEVM 3.将 EVM 板的输出连接到 EPC 晶体管栅极
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  • RE: [参考译文] LM5113：DCDC 1/4 1000W 转换器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 好的、明白了。 因此、出于测试目的 (为了测试我们手头的现有 PCB 板) 、可以尝试 www.ti.com/.../LMG1205HBEVM、对吧？ 1.解焊 LM5113SD 2.将来自 Microchip 控制器的 PWM 信号连接到 LMG1205HBEVM 3.将 EVM 板的输出连接到 EPC 晶体管栅极
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  • [参考译文] UCC2.1736万-Q1：UCC2.1736万-Q1对Si MOSFET的适用性

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG1210 , LMG1205HBEVM , LMG1205 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1091017/ucc21736-q1-applicability-of…
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  • RE: [参考译文] LMG1205：DSBGA 布局和堆叠

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、Don、很高兴听到2oz 铜是可行的。 我在 LMG1205HBEVM 的制造注释中看到2oz 是指镀层厚度、这很有帮助。 如果 LMG1205是一种特殊情况、那么它是否具有与 AN-1112中指定的尺寸不同的推荐尺寸？ 数据表未指示占用空间、并且我没有相应的软件来查看 LMG1205HBEVM 的 CAD 文件以进行精确检查。 AN-1112还规定： "由于对铜蚀刻工艺和…
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  • RE: [参考译文] LMG1205：是否建议为该器件使用底层填料？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Dustin： 感谢您的联系。 该器件已经过测试、并广泛用于总线电压高达100V 的应用。 话虽如此、考虑到间距和预期工作电压、在布局过程中必须特别注意低压和高压引脚的 PCB 布线。 欠填充有助于实现驱动器 IC 的正常运行、但不是必需的。 您可以使用可供参考的驱动器 IC EVM 设计文件。 这些文件仅可用作指导、并根据应用要求进行更新。 https://www…

  • RE: [参考译文] LMG1205：LM5113有何不同？

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mike： LMG1205仅采用 BGA 封装。 实际上、BGA 封装的尺寸更小、并且具有更低的寄生电感。 目前没有计划为 LMG1205提供 WSON 封装。 您还可以订购我们的 LMG1205半桥 EVM 来试用这些器件。 www.ti.com/.../lmg1205hbevm 谢谢、此致、 连

  • [参考译文] TMS570LS1224：用于1MHz 正弦波生成的 NHET+HTU 或 ETPWM？

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1052136/tms570ls1224-nhet-htu-or-etpwm-for-1mhz-based…
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  • RE: [参考译文] LMG1025-Q1：使用600ns 脉冲和500kHz 驱动50 Ω 负载

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Gerald、 我建议添加一个 GaN FET 来提供电流、正如在 EVM 中所做的那样。 正如 Mamadou 提到的、LMG1205旨在驱动 GaN FET 的容性负载、而不是电阻性负载。

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