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RE: [参考译文] LMG1210:了解脉宽规格
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Michaela: 感谢您就有关
LMG1210
的问题与 TI 联系。 对于 tpw 与 tpwext、tpw 值是驱动器将接收和传播输出的最小输入脉冲宽度。 数据表中表下方的注释(2)对其进行了简要说明。 对于任何至少为1.8ns 但小于4.5ns 的输入脉冲、将扩展到 tPWext 参数的4.5ns 规格。 例如、如果出现一个3ns 输入脉冲、它将作为一个4.5ns…
8 个月前
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RE: [参考译文] UCC27282EVM-335:UCC27282EVM-335
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、John、 感谢您就有关 UCC27282的问题联系 TI。 UCC27282EVM-335旨在用于测试驱动器的特性、它本身不是功率级。 但是、针对您的应用、您可能会超过驱动器的热限制。 请查看此有关最大工作频率的常见问题解答。 [常见问题解答] UCC27282:如何计算半桥栅极驱动器的最大工作频率 对于7MHz 开关频率、如果您无法管理 UCC27282的热性能…
5 个月前
电源管理(参考译文帖)
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RE: [参考译文] LMG1210:我们的原理图电路中的 EN 引脚是否有问题?
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、 Ümit、 感谢您关于
LMG1210
的问题。 当 EN = 0V 时、LO 和 HO 输出被设置为低电平(0V)。 HS 引脚的电压取决于许多因素、包括电路的输出级。 所以、您看到的4.5V 是 HS 到接地阻抗导致的。 该阻抗是其接地路径的并联组合、包括高侧 FET 通过 VIN、低侧 FET、IC 到 VSS 以及通过负载输出级。 因此、没有栅极驱动器输出的 HS…
9 个月前
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RE: [参考译文] LMG1205:建议使用 GaNFET 半桥驱动器
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Ryker: 我们没有额定电压为400V 系统的 GaN 驱动器。 最接近的是我们具有 ABS 的
LMG1210
。 VHS 的最大值为300V。 由于这些 FET 具有 Vgs、通常 GaNFET 需要精确的5V 至6V 驱动器、而我们的 GaN 驱动器专门用于精确驱动。 GaNFET 通常还具有更快的运行条件、因此与非 GaN 驱动器相比、我们的 GaN 驱动器具有更快的开关特性…
5 个月前
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RE: [参考译文] LMG1210:电流检测
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嘿、Daria、 感谢您关于
LMG1210
的问题。 就
LMG1210
而言、在输出端使用该检测电阻不是问题。 我们也没有任何与此相关的应用手册或任何内容。 如果有任何其他问题、请告诉我。 谢谢! 威廉·摩尔
10 个月前
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RE: [参考译文] LMG1210:输入电压纹波
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、 感谢您关于
LMG1210
的问题。 是的、您是正确的、这些系统中需要高质量陶瓷电容器。 我们建议将低 ESR、X7R 陶瓷电容器用于栅极驱动器电路。 VDD 上的旁路电容器的值12.5uF 似乎很大。 在数据表中、第8.2.2.1节"旁路电容器"概述了如何为自举和偏置 VDD 选择尺寸正确的电容器。 至于 VDD 和 VIN 的排序、只应使用1个为该驱动器供电的选项…
10 个月前
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RE: [参考译文] LMG1210:查找有关特性的信息
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、David: 感谢您关于
LMG1210
的问题。
LMG1210
非常适合该应用并驱动 EPC2071。 2.我不是 LMG3100R017专家、您需要创建一个关于该产品的主题、以针对该应用中的该产品、与 HVP-GaN 团队联系。
LMG1210
可以驱动两个并联的 FET。 对于 GaN 应用而言、布局至关重要、因此需要将它们尽可能靠近驱动器放置。 并联驱动 GaN…
10 个月前
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RE: [参考译文] LMG1210:是否允许并行运行?
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 非常清楚、感谢您的帮助!
10 个月前
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RE: [参考译文] LMG1205:哪个芯片可以支持小于5ns 的输入脉冲宽度?
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Tony、 感谢您回答这个有关 LM5113-Q1和 LMG1205的问题。 这些产品不支持小于10ns 的脉冲宽度。 我们提供的
LMG1210
具有4ns 的最小脉冲宽度、它是一款可在此处工作的半桥 GaN 驱动器。 如有任何问题、请告诉我。 谢谢! William Moore
7 个月前
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RE: [参考译文] LMG1210:在 AWR/输出阻抗下对 LMG1210进行建模
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嘿 Patrick、 我们用于输出级的内部 FET 不是分立式外部器件、我不能公开发布有关该元件的信息、但该元件具有低电容。 只是想让您知道、PSpice for TI 是公开可用的、并且可以在
LMG1210
的产品页面以及未加密的 PSpice 模型和 TINA-TI 模型中找到。 至于计算工具的驱动电流、它与驱动器数据表中的拉电流和灌电流规格相关。 如果有任何其他问题…
11 个月前
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