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  • [参考译文] LMG3100R017：封装外形图和焊盘图案

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG3100R017 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1432570/lmg3100r017-package-outline-drawing-and-land-p…
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  • RE: [参考译文] LMG3100R017：VQFN-FCRLF 封装图(VBE)| 15.

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢您发送电子邮件。 这对我们很有帮助。
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  • RE: [参考译文] LMG3100R017：存储温度

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Andreas： 对于延迟、我们深表歉意。 我今天从 资格认证团队那里获得了信息。 LMG3100仅符合-40/125C 的要求。 我们不能提供-46度的贮存温度、因为 FET 的额定绝对最大值也是-40度 这是初始反馈。 但是、我 正在 与包装团队核实是否有任何问题。 让我来检查一下我们是否真的可以 通过更多测试将 LMG3100的贮存温度设置为-50度。 我将在获得更多信息后立即重放…
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  • RE: [参考译文] LMG3100R017：获得的热阻是否采用或不采用顶部冷却？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Kento、 热阻是在顶部没有任何散热器的情况下获得的。 该值是根据 本应用手册第1节中概述的过程进行估算的 ： 谢谢！ John
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  • RE: [参考译文] LMG3100R017：高侧开关配置

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Johan、您好！ 我已经在电子邮件中回复。 此致！ Kyle

  • [参考译文] LMG3100R017：SIMPLIS/PSpice 仿真模型

    Other Parts Discussed in Thread: LMG3100R017 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1391287/lmg3100r017-simplis-pspice-simulation-model 器件型号…
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  • RE: [参考译文] LMG3100R017：LMG3100R017：反向导通特性

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Katsuya： 我们尚未在数据表中发布完整的 VSD 与 ISD 曲线、因为该器件目前正在采样、 我们计划在 6月完全发布、发布时数据表中将包含完整的曲线。 目前在数据表中、我们确实见到 Vsd = 1.5V 典型值。 在 ISD：500mA。 此致！ 凯尔
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  • [参考译文] TAS5558：能否使用 GaN FET 作为功率级？

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    Other Parts Discussed in Thread: TAS5558 , TAS5634 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/1400759/tas5558-can-i-use-gan-fet-as-the-power-stage 器件型号： TAS5558 Thread 中讨论的其他器件： …
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  • RE: [参考译文] LMG3100R017：LMG3100R017并联/并联 GaN 器件

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Daniel、您好！ LMG3100R017器件可用于软开关应用中的并联工作。 在硬开关应用中、我们仍在进行研究、以了解将该器件与其集成栅极驱动器并联的系统要求。 对于在不同工作区域存在软开关以及部分和全硬开关的拓扑、我们当前对硬开关的建议将与我们的高压器件相同。 要并联、并联半桥的每个开关节点之间必须有一个去耦电感器。 此致！ 凯尔
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  • [参考译文] LMG3100R017：可用性和模型

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG3100R017 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1342123/lmg3100r017-availability-and-model 器件型号： LMG3100…

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