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  • RE: [参考译文] LMG1210EVM-012：此评估板是否已包含功率最终级？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢您更新 Fabrizio、 由于1210 EVM 采用 HB 配置、我们需要使用另一个器件/EVM 来实现应用可行性。 由于您的应用在低侧配置中需要单独的 GaN 电路、您应该能够使用两个 LMG1020 EVM？

  • RE: [参考译文] LM5109B：使用 TI 模型的 SPICE 仿真无法计算

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 以下是 TI 的模型： *美元 * LM5109B (小部分 *(C)版权所有2016 Texas Instruments Incorporated。 保留所有权利。 (小部分 **此模型旨在为德州仪器(TI)的客户提供帮助。 ** TI 及其许可人和供应商不作任何明示或默示的保证 **或隐含的，关于本模型，包括的保证 **用于特定目的的适销性或适销性。 是的 **仅以"按原样…
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  • [参考译文] LMG3410：数字隔离器配置

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    Other Parts Discussed in Thread: ISO7831 , ISO7821 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/570536/lmg3410-configuration-with-digital-isolato…
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  • RE: [参考译文] TLV320AIC3106-Q1：TLV320AIC3106-Q1源代码：示例代码/Linux 驱动程序/Android HAL

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 明亮、 一些指针。 tlv320aic3106音频通过我们的 Jacinto6平台支持 Android 音频。 当前版本参考： https://processors.wiki.ti.com/index.php/6AO.1.1_Release_Notes 内核： http://git.omapzoom.org/?p=kernel/omap.git;a=shortlog;h=refs…
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  • [参考译文] TINA/Spice/LMG1205：LMG1205 SPICE 仿真模型(HB/HS 节点上的有源钳位)

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    Other Parts Discussed in Thread: TINA-TI , LMG1205 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools…

  • RE: [参考译文] BQ79600EVM：断开菊花链连接时、NFAULT 未置位？

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我的设置注意事项：按照 EVM 手册中的说明振铃：600h <-->#1 L616H <-->#2 L616H <--> L600 谢谢。 这些位确实根据数据表配置了处于睡眠状态的 HB。 我还没有使用睡眠模式。 我每秒唤醒系统、配置系统并收集数据。 但是，在桥上启用 Hb_TX_EN 和 TON_RX_EN，在堆栈上启用 Hb_EN 和…
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  • RE: [参考译文] LMG3410：LMG3410电感器绕组电容和导通损耗

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Luca 感谢您对 LMG3410的提问和关注。 电感器的绕组电容由磁芯尺寸、匝数和层数决定。 测试中电感器的电容约为2pF。 请查找环形电感器绕组电容测量链接： g3ynh.info/.../Toroid_selfC.html 。 您应该能够为自己的应用测量绕组电容。 与电感器绕组电容相比、PCB 布局和散热器将向开关节点添加更多的耦合电容、并导致额外的开关损耗…
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  • RE: [参考译文] LM51521-Q1：尝试退出时出现 TI PSpice 错误(&quot；开模型测试电路&quot；

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Craig、 感谢您发送更多详细信息。 关于 PSpice 收敛问题： 一般而言，往往很难找到趋同问题的根源。 我检查了您最近的原理图、找不到任何明显的连接问题、尤其是因为该设计以 EVM 参考模型为导向。 我注意到、您使用特定的模型器件替换了 MOSFET。 您是否知道在选择这些部件后收敛问题是否增加？ 在这种情况下、我建议在调试阶段保留 PSpice for TI 库中的理想…

  • RE: [参考译文] TDA4VM：serdes1是否同时支持一个 PCIe 和一个 USB3？

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 在内核 DTS 中、SerDes 多路复用器配置由'serdes_ln_ctrl'节点的'ide-states'属性定义。 https://git.ti.com/gitweb?p=ti-linux-kernel/ti-linux-kernel.git;a=blob;f=arch/arm64/boot/dts/ti/k3-j721e-common…
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  • RE: [参考译文] LMG3410R070：LMG3410

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Robin、 由于这是一个 EVM、旨在使用隔离式高侧电源和自举启动功能运行、因此我们选择了较大的值。 47uF 的目的是确保自举电容器 C8在断电时具有足够的电荷、或在突发模式等低频率下切换 GaN。 现在、如何选择该值取决于两个因素：开关周期中的电荷平衡(取决于自举路径的 RC 和低侧 GaN FET 的最短导通时间)、以及突发模式或功率损耗情况下所需的保持时间…

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