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  • RE: [参考译文] LMG3410R050：电流消耗规格和包含的内容

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Franziskus： 我已通过电子邮件回复。 此致！ Kyle
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  • [参考译文] LMG3410R070：有关 LMG3410R070的问题

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LMG3410R050 , LMG3410R070 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1411844/lmg3410r070-question-about-lmg341…
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  • [参考译文] LMG3410R050：降压/升压转换器开关

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1337388/lmg3410r050-buck-boost-converter-switching 器件型号： LMG3410R050 可否知道内部降压/升压转换器的开关频率是多少？ 谢谢 Br、…
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  • RE: [参考译文] LMG3410R050：PSpice 仿真

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Mostafa： 我已下载并测试器件模型、我 无法复制错误。 请删除器件模型与测试仿真的当前文件。 然后通过以下链接下载新版本。 https://www.ti.com/lit/zip/snom689 。 这是我已经测试并一直在工作的文件。 此致！ 凯尔
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  • RE: [参考译文] LMG3522R030：有关替换竞争对手器件的参数和建议

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 它们是否 并联使用 TK12A60W FET？ 对于此应用、我建议查看 LMG3410R050、 LMG3410R070或 LMG3410R150。 它们是带有集成驱动器的600V GaN FET、分别是50mΩ、70mΩ 和150mΩ。 由于 TK12A60W 的 Rdson 为265mΩ、因此可以将多个 TK12A60W 替换 为单个 LMG3410Rxxx 器件…
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  • RE: [参考译文] LMG3522R030：有关替换竞争对手器件的参数和建议

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 它们是否 并联使用 TK12A60W FET？ 对于此应用、我建议查看 LMG3410R050、 LMG3410R070或 LMG3410R150。 它们是带有集成驱动器的600V GaN FET、分别是50mΩ、70mΩ 和150mΩ。 由于 TK12A60W 的 Rdson 为265mΩ、因此可以将多个 TK12A60W 替换 为单个 LMG3410Rxxx 器件…
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  • RE: [参考译文] LMG3522R030：有关替换竞争对手器件的参数和建议

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 它们是否 并联使用 TK12A60W FET？ 对于此应用、我建议查看 LMG3410R050、 LMG3410R070或 LMG3410R150。 它们是带有集成驱动器的600V GaN FET、分别是50mΩ、70mΩ 和150mΩ。 由于 TK12A60W 的 Rdson 为265mΩ、因此可以将多个 TK12A60W 替换 为单个 LMG3410Rxxx 器件…
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  • RE: [参考译文] LMG3522R030：有关替换竞争对手器件的参数和建议

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 它们是否 并联使用 TK12A60W FET？ 对于此应用、我建议查看 LMG3410R050、 LMG3410R070或 LMG3410R150。 它们是带有集成驱动器的600V GaN FET、分别是50mΩ、70mΩ 和150mΩ。 由于 TK12A60W 的 Rdson 为265mΩ、因此可以将多个 TK12A60W 替换 为单个 LMG3410Rxxx 器件…
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  • RE: [参考译文] LMG3410R050：共源配置

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 我以前从未见过用于双向开关的 GaN、因此我的答案完全来自理论。 在大多数情况下、除了传播延迟和轻微失配等极端情况外、这些器件似乎不需要隔离器。 如果到两个栅极的信号存在小延迟、我可以预见到会出现电平位移问题。 虽然在没有电平转换器的情况下正常的稳态理论似乎可以正常工作、但我不确定我是否建议不使用电平转换器来构建电平转换器只是为了安全。 此致、 扎赫

  • LMG3410R050: 小电流情况下，fault信号持续脉冲输出报警

    TI 认为已经解决
    Part Number: LMG3410R050 Other Parts Discussed in Thread: TIDA-00915 采用LMG3410设计三相电机驱动，参考TIDA-00915驱动原理，电路采用的阻容参数与设计参考一致，采用64k的pwm开关频率，三相桥中仅有U向的下管通过小电流的时候fault信号持续输出4ms周期报警型号，当电流增加到500MA以上时报警消失，其他5个管子未出现此情况，可以判断未出现过流和过温的情况，芯片本身没有热量且电流消小出问题，电流大反而正常。希望有此应用的大神指点一二…

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