请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 在有源钳位反激式中、初级 FET 的输出电容是限制最大开关频率的主要因素。 GaN FET 具有比 Si FET 更低的输出电容、裸片尺寸和导通电阻相同。 因此、与 Si FET 相比、GaN FET 可实现更高的开关频率。 开关频率越高、变压器越小、总体设计就越小、功率密度也就越高。 但是、在市场的当前状态下、GaN FET 比 Si FET 更昂贵、并且几乎没有太多可供选择的器件…
Other Parts Discussed in Thread: LMG3410R070 , LMG3411R150 , LMG3410R050 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/794888/lmg3410r070-adjustable…
Other Parts Discussed in Thread: LMG3410R070 , LMG3410R050 , LMG3411R150 , LMG5200 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/788847/lmg3410r070-structure…