Other Parts Discussed in Thread: LMG3522R030 , LMG3526R030 , LMG3422R030 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1358660/lmg3526r030-separate…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Henry:
借助 TI 的 GaN 器件、我们将栅极驱动器集成到封装中、因此 IN 信号逻辑将为0V =开路、3.3V =闭合。 这可能会有点令人困惑、因为 LMG3422R030是一个 D 模式 GaN FET、这意味着 GaN FET 在 Vgs = 0V 时闭合、在 Vgs =-14V 时断开、但由于我们集成了栅极驱动器、因此我们客户不必为此进行设计。 我们的客户只需按照设计将…