Other Parts Discussed in Thread: LMG3422R030 , LMG3522R030 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1426869/lmg3522r030-lmg3522r030-lmg3422r030-drain-current…
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！
我会为您澄清一下。
该器件 LMG3422是耗尽模式 GaN FET、这意味着该器件通常在未提供 VDD 时导通。 为安全起见、我们将一个硅 FET 与 GaN 串联、这样如果未应用 VDD、器件仍会阻断电压、示意图如下所示：
如果客户未对器件应用 VDD 并测量反向压降、会发生什么情况？ GaN FET 部分将开启并导通、因此那里的唯一压降将来自该器件的 Rdson…
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Brian、您好！
1.是的、可以将 TI GaN 器件与一些指导和最佳实践并联、但在建议并联之前、我们强烈鼓励交错多个级、这具有很多优势、包括更小的磁性元件、更高的有效频率和用于提高效率的切相功能。 我会鼓励客户先交叉。 我现在向您发送一封电子邮件、其中包含一个演示文稿、重点介绍我们的并行建议。
2.我们多年来一直在生产 GaN 器件、在该领域使用了数百万种器件、采用 QFN…
