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  • [参考译文] LMG3410R070：GaN 电源逆变器

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG3410R070 , LMG3422R050 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1261634/lmg3410r070-gan-power-inverter 器件型号…
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  • RE: [参考译文] LMG3422R050：续流电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Ernest 本文可能对您有所帮助： www.ti.com/.../snoaa36.pdf 当器件上开始产生反向电压时、源极和漏极开关起作用。 在这种情况下、尽管栅极相对于正常源极保持为0V、但新源极(正常漏极)现在存在 Vgs 电压。 在使用 GaN 时、通常具有几伏的反向电压。 因此、死区时间优化对于优化效率至关重要。 谢谢。 特拉维斯
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  • RE: [参考译文] LMG3422R050：最大额定功率

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Donna： 最大功率耗散将由冷却解决方案和电路板布局决定。 TI 控制的唯一因素是结至电路板热阻(0.88C/W)和最高工作温度(绝对最大值为150C、推荐值为125C)。 最大功率吞吐量取决于拓扑和实现方式。 作为低频负载开关、最大功率可能高达15kW。 作为高降压比降压转换器、最大功率可能低至100W。 阻断电压为600V、最大 RMS 电流(25°C 时)为32A…
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  • RE: [参考译文] LMG3422R050：LMG3422R050

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 感谢您的联系。 我目前没有这方面的资料。 我不确定我们是否能提供这些数据、但我将能够在感恩节假期后进行检查、感谢您的耐心。 此致、 扎赫
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  • RE: [参考译文] LMG3422R050：开关能量

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Arjun、 第7.7节下列出的所有数字，包括图7-11所示的所有操作条件都与前几节相同，其表述如下： ℃≤另有 µH：电压、电阻、电容和电感以 GND 为基准；–40℃TJ≤125 μ H；VDS = 480V；9V≤VVDD≤18V；VIN = 0V；RDRV 连接到 LDO5V；LBBSW = 4.7 μ H 此致、 扎赫
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  • RE: [参考译文] LMG3422R050：需要体二极管

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 当 LMG341x 器件用作同步整流器时、其运行方式与普通二极管或硅 FET 不同。 两个 FET 都不会关断、而是底部 FET 导通、充当续流电流的二极管。 电流与器件一起从源极流向漏极流经底部 GaN FET 通道、从而减少损耗、因为在本例中、底部 FET 的功率损耗仅为 I^2*R、其中 R 是 FET 的 Rdson (非常小)。 如果您需要、我可以进一步解释…
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  • RE: [参考译文] LMG3422R050：最小电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、 感谢您的提问。 在 LMG3422R050数据表中的图7-9和7-10中、给出了不同开关频率下的 VDD 电源电流。 这些图是否与您观察到的开关频率和结温下的电源电流相匹配？ 此致、 Kyle Wolf
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  • RE: [参考译文] 在高频应用过程中电压下降

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，David： 正如您在我们的第2代设备的这些图中所看到的，50V时的工作负载与400V极为相似。 但是，两者都不能达到0伏的切换频率。 我认为这些脉冲对于正是这种器件的MHz操作来说太长了。 我建议您查看我们的LMG3422R050设备，它非常能够处理MHz切换。 谢谢！ 诺亚
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  • [参考译文] LG3422R050：数据表说明接通损耗，二极管传导损耗

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG3425R050 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1101851/lmg3422r050-datasheet-clarifications-of-turn-on…
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  • RE: [参考译文] LMG3422R050：GaN FET 的输入电容

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Shaury、 对于栅极驱动损耗计算、请使用43nC 的总栅极电荷 Qg 和-14V 的 VG 然后、您可以使用总栅极驱动损耗公式：P_GATE = VG*Qg*f_SW。 此致、 John

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