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• RE: [参考译文] LMG3422R050：EVM 上的开关波形

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Kuramochi、感谢您的提问。 遗憾的是、我们没有任何可供 LMG342x 主板和子卡共享的开关波形。 但是、子卡内 GaN 半桥中的去耦电容器旨在去耦 GaN 半桥和主板的直流链路电容器之间的寄生电感。 未报告 此功率级别下寄生电感过大的问题。 此致、 John

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] 关于具有集成驱动器的 GaN FET 的讨论

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 感谢您的查询，我们的 GaN 产品确实额定电压为650V，可以满足您的当前要求。 它们支持3.6MHz 的最大频率、如本 LMG3422r050 数据表中所述 。

  • 3 年多前
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• [参考译文] LMG3422R050：漏极压摆率 v.s. 驱动强度电阻器曲线

  

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  Other Parts Discussed in Thread: LMG3422R050 , LMG3422R030 , LMG3410-HB-EVM 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1002369/lmg3422r050-drain…

  • 3 年多前
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