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RE: [参考译文] LMG3425R030：LMG3425R030

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。测试电路显示在 PSpice for TI 中。请查找 LMG3422R030。大卫

RE: [参考译文] LMG3425R030：在半桥应用中、高侧 GaN 器件的电源电压问题。

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好！我假设硅驱动器是指自举电路。如果是这样、由于您提到的稳定性、我们尝试建议使用变压器偏置电源。自举电路更易于使用、但在设计中出现问题的几率更高。这个问题没有明确的答案、但总的来说、我们建议使用变压器偏置电源。此致、扎赫
- 2 年多前
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RE: [参考译文] LMG3425R030：动态 R_DS (开)

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好，Uchikoshi，感谢你的提问。如白皮书所述，动态 RDSon 是在硬切换热循环期间 RDSon 的变化。根据 JEP173，这些测试是为了捕获 RDSon 的变异度。数据图解主要显示没有老化效应，因为它不会沿一个方向漂移，而且在1.1范围内。数据表中给出的规格是零件之间的差异。因此，大多数部件的 RDSon 通常为26mohm，极端值为35mohm。 …
- 3 年多前
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RE: [参考译文] LG3525R030-Q1：在图腾柱PFC中操作时LDO5V出现故障

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好，Thijs：我建议使用LMG3522R030简化调试，以防它可能与此设备的IDM版本有关。我还要确保通读数据表中的IDM部分(第28页)，了解其中列出的设计预防措施。同样，我会使用LMG3522R030来降低复杂性，直到您能够稳定地通电。 https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lmg3425r030.pdf?ts=1649695716669&ref_url…
- 2 年多前
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RE: [参考译文] LMG3425R030：同步 FET 模式的缺点

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好、Kuramochi、是的、对于某些应用、使用 LMG3425的同步 FET 模式是有益的。但是、由于成功运行所需的精确死区时间优化、我们建议您使用 LMG3422开始设计、稍后使用 LMG3425优化计时。请参阅此应用报告、其中讨论了 LMG3425/LMG3525器件的时序优化。此致、 John
- 3 年多前
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RE: [参考译文] LMG3425R030：第三象限控制

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好、Kuramochi、正确、只有 LMG3425和 LMG3525器件具有同步 FET 模式(理想二极管模式)。此致、 John
- 3 年多前
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RE: [参考译文] LMG3425R030：将此器件用于正负电压输出

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好 Erik、我可能误解了您的问题。虽然这些器件不能阻断负电压、但它们仍可用于逆变器进行直流/交流转换。例如、在 H 桥逆变器中、器件在处于关断状态时从未看到负电压。请告诉我这是否有帮助。此致、 John
- 3 年多前
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RE: [参考译文] LMG3425R030：有关 LMG3425R030理想二极管模式的问题

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好 Hao、该器件不适用于 SR 应用中的自动关断。关断取决于 PWM 信号。有关详细信息、请参阅数据表中的同步 FET 模式状态机。请参阅数据表中的同步 FET 模式状态机。为了在理想二极管模式下正确导通、需要提供 PWM 信号。此致、 John
- 3 年多前
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RE: [参考译文] LMG3425R030：半桥 GaN 布局

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好！它很难量化、但我可以在这里展示一个示例。此处的黄色迹线是接地回路迹线、红色迹线是开关节点。您可以看到、它们之间存在一些重叠、但我们将其控制在最小值、因此增加的附加寄生电容极小。您可以参阅我们的第一代或第二代子卡 EVM 布局以了解相关信息。希望这对您有所帮助。此致、张一一
- 3 年多前
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RE: [参考译文] LMG3425R030：辅助电源电流将随着旁路电容器的增大而增大

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。您好 Hao、我们猜是使用具有理想二极管模式的 LMG3425时、当您在没有 Vbus 的情况下切换半桥时、在 FET 关断( 没有驱动电压)后、它们倾向于检测 VDS<0、然后由于理想二极管模式而重新导通。然后、它们会关闭、因为电流太低。最终效果是每次命令器件切换时、器件都会切换两次。这会导致他看到的辅助电源电流增加。当施加总线电压时、FET 关断后 VDS…
- 3 年多前
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