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  • RE: [参考译文] LMG3425R030：半桥 GaN 布局

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 感谢您提出问题。 我们确实希望开关节点和接地层之间的最小重叠。 但是、布局中存在一些折衷。 在布局中、我们希望接地回路直接位于器件的下方、以便有最大的磁通消除、从而实现最小的电源环路。 更宽的接地回路将导致更小的电源环路、但接地和开关节点之间的重叠更大、这将增加寄生电容。 简而言之、我们希望在保持较小电源环路电感的同时尽可能减小重叠。 希望这澄清了您的问题、如果您有进一步的疑虑…
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  • [参考译文] LMG3425R030：辅助电源电流将随着旁路电容器的增大而增大

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LMG3425R030 , LMG342X-BB-EVM 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/982688/lmg3425r030-aux-power-supply-current…
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  • [参考译文] LMG5200：AEC-Q 后续产品、Rds-on 更低、理想二极管模式？

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG5200 , LMG3425R030 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/979843/lmg5200-successor-with-aec-q-lower-rds…
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  • [参考译文] LG3525R030-Q1：在图腾柱PFC中操作时LDO5V出现故障

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LMG3522R030 , LMG3425R030 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1089777/lmg3525r030-q1-ldo5v-fails-when-operating…

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