请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好!
我相信您的应用与之前的 E2E 帖子类似、请单击 此处的链接 、并告知我它是否有用。
总之、我们建议我们的器件在理论上可以用于这些应用、但必须在器件的绝对最大额定值和连续最大额定值范围内运行。 考虑到 GaN 和硅的成本、在这种情况下、您可能可以通过 Si FET 获得并节省系统成本。 不会利用 GaN 的许多优势、这会降低对 GaN 的需求。
此致、
扎赫
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Mahendra、
是的、我们确实测量器件漏极和源极引脚上的输出电容。 这将仅测量 GaN FET 的输出电容。 这是因为硅 FET 在正常运行期间不进行开关。 Qoss 是相同的。 在数据表中、可以注意 Qrr 为0。 这是因为我们的 GaN FET 没有固有的体二极管、因此没有反向恢复损耗。
此致、
Kyle Wolf
Other Parts Discussed in Thread: LMG3522R030 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1111978/lmg3525r030-q1-in-which-kind-of-circuit-do-you…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Noah,你好,对迟交的答复表示歉意。 我无法控制另一个运行良好的隔离器,因此我为 GA-FET 订购了2块 EV 板,并从它们那里借用隔离器,这确实解决了问题!
´m´m 感谢您的帮助,我是这种 FET 的新用户,因此我确信我将有更多问题要发布。
此致 Anton