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• RE: [参考译文] LMG3522R030：并联 GaN

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Anoop、 是的、 我们可以并联 LMG3522器件。

  • 1 年多前
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• RE: LMG3522R030-Q1: spice model from TI can’t be used in LTspice

  

  Johnsin Tao

  HI 不客气，

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LMG3522R030：顶部和底部冷却的建议

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、John： 以便提供有关顶部和底部冷却的一些背景信息。 从封装的角度来看、封装从结(产生热量的地方)到外壳(散热焊盘)具有相同的热阻。 例如、对于30mΩ 器件、该器件的0.28 °C/W 适用于顶部冷却器件、而0.33 °C/W 适用于底部冷却器件。 在系统中实施器件时、会出现这些差异。 顶部冷却器件的散热路径从散热焊盘流出、经过热界面材料(TIM)和散热器。 底部冷却器件的散热路径从散热焊盘流出…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LMG3522R030：顶部和底部冷却的建议

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、John： 以便提供有关顶部和底部冷却的一些背景信息。 从封装的角度来看、封装从结(产生热量的地方)到外壳(散热焊盘)具有相同的热阻。 例如、对于30mΩ 器件、该器件的0.28 °C/W 适用于顶部冷却器件、而0.33 °C/W 适用于底部冷却器件。 在系统中实施器件时、会出现这些差异。 顶部冷却器件的散热路径从散热焊盘流出、经过热界面材料(TIM)和散热器。 底部冷却器件的散热路径从散热焊盘流出…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LMG3522R030：有关替换竞争对手器件的参数和建议

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 它们是否 并联使用 TK12A60W FET？ 对于此应用、我建议查看 LMG3410R050、 LMG3410R070或 LMG3410R150。 它们是带有集成驱动器的600V GaN FET、分别是50mΩ、70mΩ 和150mΩ。 由于 TK12A60W 的 Rdson 为265mΩ、因此可以将多个 TK12A60W 替换 为单个 LMG3410Rxxx 器件…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] LMG3522R030：有关替换竞争对手器件的参数和建议

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 它们是否 并联使用 TK12A60W FET？ 对于此应用、我建议查看 LMG3410R050、 LMG3410R070或 LMG3410R150。 它们是带有集成驱动器的600V GaN FET、分别是50mΩ、70mΩ 和150mΩ。 由于 TK12A60W 的 Rdson 为265mΩ、因此可以将多个 TK12A60W 替换 为单个 LMG3410Rxxx 器件…

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• RE: [参考译文] LMG3522R030：有关替换竞争对手器件的参数和建议

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 它们是否 并联使用 TK12A60W FET？ 对于此应用、我建议查看 LMG3410R050、 LMG3410R070或 LMG3410R150。 它们是带有集成驱动器的600V GaN FET、分别是50mΩ、70mΩ 和150mΩ。 由于 TK12A60W 的 Rdson 为265mΩ、因此可以将多个 TK12A60W 替换 为单个 LMG3410Rxxx 器件…

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• RE: [参考译文] LMG3522R030：有关替换竞争对手器件的参数和建议

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 它们是否 并联使用 TK12A60W FET？ 对于此应用、我建议查看 LMG3410R050、 LMG3410R070或 LMG3410R150。 它们是带有集成驱动器的600V GaN FET、分别是50mΩ、70mΩ 和150mΩ。 由于 TK12A60W 的 Rdson 为265mΩ、因此可以将多个 TK12A60W 替换 为单个 LMG3410Rxxx 器件…

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• [参考译文] LMG3522R030：并联 GaN

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1271621/lmg3522r030-gan-in-parallel 器件型号： LMG3522R030 您好、TI 专家： 我们能否将两个 LMG3522并行用于更高电流的应用？ 此致 …

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• [参考译文] LMG3522R030：符号和封装

  

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