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  • 电源管理论坛

    TI 认为已经解决
    Part Number: LMG3522R030-Q1 Hi ，everyone，I use this chip to build three-phase bridge circuit, shared 6; LMG3422R030-Q1, through the dedicated DSP microprocessor output PWM signal, so as to control its switch, the output is connected to the three-phase…
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  • RE: [参考译文] LMG3422R030：我能否获得 LMG3422R030的 PLECS 热性能说明和设计模型

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Neha： 适用于 LMG3422R030的 PLECS 模型 在以下位置提供： https://www.ti.com/product/LMG3422R030#design-tools-simulation 查看设计和文档-->设计 工具和仿真 这是下载链接- LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030和 LMG3522R030-Q1…
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  • RE: [参考译文] LMG3522R030：Eon &amp；Eoff

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Anita 您好、 1. LMG3522R030-Q1目前处于预发布状态、因此数据表中的数字可能会发生变化。 有关 Eoss 的信息、请参阅 LMG3522R030数据表 。 该数据表不直接包含 Eoss、请使用数据表中提供的 Co (er)进行计算。 1.b LMG3422R030数据表中的 Eon / Eoff 图中包含了导通重叠损耗(Evi) 。 导通损耗重叠损耗可在导通损耗曲线中找到…
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  • [参考译文] LMG3522R030-Q1：特征曲线

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LMG3522R030-Q1 , LMG3522R030 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1213916/lmg3522r030-q1-characteristics…
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  • RE: [参考译文] LMG3522R030-Q1：Q1与非 Q1之间的 RθJC (TOP)差异

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 没错。 谢谢。 特拉维斯
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  • RE: [参考译文] LMG3522R030-Q1：GaN FET 系列堆栈

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 输出电容器对输出电压进行分压、以便 FET 的电压不超过输出电压的一半。 因此、650V FET 可用于800V 应用。 此设计使用半桥输出整流器、向直流侧供电时的电流如下所示： 谢谢、 特拉维斯

  • LMG3522R030-Q1: 关于PMP22650的问题

    TI 认为已经解决
    Part Number: LMG3522R030-Q1 TI参考设计 你好，我想咨询一些 关于PMP22650的问题 基于 GaN 的 6.6kW 双向车载充电器参考设计 PMP22650 问题1，6.6KW OBC 谐振电容每个桥臂都分别放置了一部分谐振电容，这个考量是基于散热考虑吗？这和把所有谐振电容都放在一个桥臂有多少区别？ 问题2，谐振电感如下采用下图设计会对谐振参数有何影响吗？ Lr: 采用一个磁芯，2组线圈，串联在谐振电路中
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  • RE: [参考译文] LMG3522R030-Q1：LD05V 故障短路

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 已确认这是布局问题。 FET 源和隔离器/驱动器平面上开尔文连接之间的杂散电感过高。 在源极焊盘中添加了多个过孔以进行连接、从而充分降低了电感。 否则、电源和驱动器接地之间的接地反弹足以损坏驱动器接口。 此链条可以关闭。
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  • RE: [参考译文] LMG3522R030-Q1：如何测量 Qrr 和 Qoss

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Mahendra、 是的、我们确实测量器件漏极和源极引脚上的输出电容。 这将仅测量 GaN FET 的输出电容。 这是因为硅 FET 在正常运行期间不进行开关。 Qoss 是相同的。 在数据表中、可以注意 Qrr 为0。 这是因为我们的 GaN FET 没有固有的体二极管、因此没有反向恢复损耗。 此致、 Kyle Wolf
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  • RE: [参考译文] LMG3422R030：GaN FET 的 SOA

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Itoh、您好！ 我们的 LMG3422R030数据表将很快更新、以包含 SOA 图。 不过、现在您可以参考 此处的 LMG352xR030工业数据表： https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lmg3522r030.pdf 在第10页上、我们列出了该图、这两个图非常相似、足以与此用例进行比较。 请注意、这是今天刚刚发布的非汽车器件、因此上面的链接 …

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