Other Parts Discussed in Thread: LMG5200 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1238555/lmg5200-safe-operating-conditions-at-50oc-ambient-…
Other Parts Discussed in Thread: LMG5200 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1228276/lmg5200-support-automotive-class-d-amplifier 器件型号: L…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Nishie、
正确、GaN FET 没有体二极管、从外部进行电气测量是一种正确的方法。
对于您的系统、如果存在明显的反向导通、我建议使用二极管(可能是用于低压降的 SBD)与器件并联来处理反向导通。 如果反向导通较小且显著程度低、则最好在没有二极管的情况下通过第三象限中的 GaN FET 传导、这是我的建议。
希望这对您有所帮助、
扎赫