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  • [参考译文] LMG5200：参考设计上的噪声

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    Other Parts Discussed in Thread: TIDA-00909 , LMG5200 , BOOSTXL-3PHGANINV , LAUNCHXL-F280049C , TIDA-00913 , INA240 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management…
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  • RE: [参考译文] LMG5200：控制压摆率

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Ryusuke： LMG5200没有控制压摆率的选项。 没有办法减慢 或加快导通转换。 谢谢！ John

  • [参考译文] LMG5200：LMG5200

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1421779/lmg5200-lmg5200 器件型号： LMG5200 工具与软件： 您好： 我正在查找 LMG5200MOFR 的时基故障/故障率数据。 谢谢！ Ken Neubeck 应用工程师 北大西洋工业公司…

  • [参考译文] LMG5200：LMG5200

    Other Parts Discussed in Thread: LMG5200 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1420878/lmg5200-lmg5200 器件型号： LMG5200 工具与软件： 您好： 我正在查找 TI 器件型号…

  • [参考译文] LMG5200：。

    Other Parts Discussed in Thread: LMG5200 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1423933/lmg5200 器件型号： LMG5200 工具与软件： 团队成员、您好！ 我使用的是 LMG5200MOFT IC、我想了解…
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  • RE: [参考译文] LMG5200：我们产品上的 IC 发热远远超过了评估板上的#39

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我的设计为4层、我只隐藏了2个内部接地平面、以直观显示顶层和底层。 但是、这条评论与我们在这里的想法产生了共鸣。 其中一项建议的布局更改是将 IC 移到 PCB 的另一侧、以增加连接到电源地和 VDD 的覆铜的尺寸。 我们认为连接到这些引脚的覆铜会比连接过孔的底部平面散发的热量要好得多。 我非常感谢您的帮助和所有想法。 我认为、在我们完成所有的故障排除后、我最后得出的结论是…
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  • [参考译文] LMG5200：对 LMG5200&#39的 HI 和 LI 输入的要求

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG5200 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1397134/lmg5200-the-requirements-on-lmg5200-s-hi-and-li-inputs 器件型号： LMG5200 工具与软件…
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  • RE: [参考译文] LMG5200：使用 TI GaN 替换 Si-FET 时的设计注意事项

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Conor、 请帮助分享有关您申请的更多详细信息、以便为您提供最佳信息。 您是否对 TI GaN 器件相对于 Si 的优势感兴趣、或者对如何在设计中物理实施这项更改感兴趣？ 是否有您感兴趣的特定器件？ 我看到您在您的问题中列出了 LMG5200、我想检查您是否正在寻找特定器件。 我们提供各种封装的高电压和低电压 GaN、它们具有许多特性、您对某个特定的群体更感兴趣吗…

  • RE: [参考译文] LMG5200：LMG5200与 TAS5504A 结合

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 K·赫 一个 EVM 将连接到 OUTP，另一个 EVB 连接到 TAS5504的 OUTM。 和 EVM 之间的负载。 这听起来不错、应该没问题。 另一个问题是：我需要一个来自 TAS5504 3.3V 输出的电平转换器 来 驱动 PWM 输入后面的 SN74lvc3g14吗？ 从其数据表来看、3.3V 似乎刚好处于5V 电源的阈值。 本可以尝试、但可能会损失一些占空比。 …
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  • RE: [参考译文] LMG2100R044：LMG2100与 LMG5200的空闲功耗比较。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Leo： LMG2100是新一代器件、而非 LMG5200、因此性能指标有所提高、但 Coss 是裸片面积的一个因素、并且与 Rdson 成反比关系。 由于 即使经过工艺改进、Rdson 也只有原来的三分之一以上、因此 Coss 仍然较大。 此致！ 凯尔

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