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  • RE: [参考译文] 《LMG5200：参考设计》(文献编号：TIDA-00913)

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Shai、 要回答您的问题、请执行以下操作： a 和 b) LMG5200 HI 和 LI 引脚是逻辑高阻抗引脚、考虑到这些~2pF 和最小100千欧接地、因此电流实际上取决于频率、但它将非常低。 C)如果 I/O 电压按照规格保持在3.14V 以上、则 I/O 引脚的最低输出电压高于2.5V、这将足以触发 LMG5200的逻辑阈值(最大2.22V)。 因此、可以直接驱动…
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  • [参考译文] LMG5200：使用2个级联器件时开关短路

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG5200 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/640038/lmg5200-switches-short-when-using-2-devices-cascade…
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  • RE: [参考译文] LMG5200：正在寻找类似的400V 工作电压

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Stephane、 遗憾的是、我们不提供比当前工作电压超过100V 的驱动器频率更高的驱动器。 不过、您的请求已被注意到、可能会导致未来的发展。 谢谢！ 此致、 Alberto
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  • RE: [参考译文] LMG5200：上部 FET 为自举 C 充电的最短关断时间

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、您好、 如数据表中所述、UVLO 的下降沿滞后为200mV。 因此、我不会对压降感到太担心。 此外、1V VDH 和3.9V (典型值3.2V)、 V_HBR 最大值均为最大值 电流为100mA。 我怀疑在使用 GaN 时您是否会有这样的电流。 但总体而言、这是极端情况、我们尚未观察到 LMG5200开关的问题。 2。用于最大 您可以使用数据表中的公式(2)来计算占空比…
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  • [参考译文] LMG5200：避免过冲

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG5200 , LMG5200EVM-02 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/581938/lmg5200-avoiding-overshoot 部件号： LMG520…
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  • [参考译文] LMG5200：使用引脚1和引脚9之间的负电压控制 GaN-FET？

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG5200 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/667594/lmg5200-controlling-gan-fet-with-with-negative-voltage…
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  • RE: [参考译文] LMG5200：在半桥中并行使用

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Nuboo 您好、 不建议并联多个 LMG5200。 其主要原因是： 如果死区时间(DT)未设置为考虑器件之间最坏情况下的传播延迟不匹配、则可能会在一个 LMG5200的高侧 FET 和另一个 LMG5200的低侧 FET 之间发生交叉传导。 即使 DT 足够大、器件之间的变化也会导致其中一个 LMG5200首先切换。 该器件将消耗连接到此节点的所有其他 FET 的所有累积输出电容损耗…
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  • RE: [参考译文] LMG5200：TIDA 00909和 TIDA 00913之间的差异

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Alberto！ 我知道该设计不可购买、但是否有机会作为样片提供？
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  • RE: [参考译文] LMG5200：用于计算开关损耗的数据表指示

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 感谢您关注 LMG5200。 要计算开关转换期间的损耗、请考虑开关节点压摆率通常为25V/ns (最大值为50V/ns)。 因此、在给定的工作电压下、您可以估算 V-I 重叠损耗的时基。 PVI =(输入电压^2 *ISW)/(25*2) (以 NW 为单位) 关于栅极损耗、您可以在图1中通过5V 电源在给定频率下找到工作电流、其中包括驱动器和栅极损耗。 通过将这些值添加到其他损耗元件中…
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  • [参考译文] LMG5200：禁用1/2桥中的上部 GaN 器件

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/596946/lmg5200-disabling-the-upper-gan-device-in-the-1-2-bridge 器件型号： LMG5200 在仅需要较低 GaN 器件的应用中、禁用上部…

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