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  • RE: [参考译文] LMG5200：数据表不一致：使用&quot；VSS&quot；、&quot；GND&quot；&quot；VDD&quot；...

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Daniel、您好！ 我对之前的答复表示歉意；回答不正确。 我们将在下一个数据表修订版中解决这种混淆问题。 此外、我将删除我之前的回复、这样该主题的未来观众就不会感到困惑。 为了澄清数据表中的内容： 第10节第3段： 这是关于5V (Vcc)轨旁路电容器要求。 VDD 指 VCC (+5V)、VSS 指 AGND。 GND 在这里也指 AGND。 引脚旁边应该有一个小的低…
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  • RE: [参考译文] UCC28782：LMG2610和 UCC28782

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 即使在240W 功率下，LMG2610也不会超过其 I limit。 所以,使用 UCC28782控制器的模式当然提供的 xmfr , SR 等可以处理这种功率全部限制在5A 最大输出?[/报价] LMG2610可以很好地处理240W 的功率、如果它从 PFC 级接收400Vin 电压。 但是、在该功率级别下、我建议使用 LLC 转换器而不是 ACF、以便减小磁性元件的尺寸…
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  • RE: [参考译文] LMG5200：VIN 在任何时候都设置为接地

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 SW 最常见的噪声源、尤其是在快速开关时、是 PCB 布局上具有高功率环路电感。 LMG5200数据表的第11节介绍了 PCB 布局避免振铃和过度功率损耗的最佳方法。 您是否能够为此应用共享 PCB 布局？ 此致、 扎赫
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  • RE: [参考译文] LMG5200POLEVM-10：将输出电压设置为2V

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Boris： 以下两种拓扑可能非常适合、并进行了一些比较： LLC： 参考设计：UCD3138ALLCEVM150 IC：UCD3138A、LMG5200、2个分立式 SR FET、SR 栅极驱动器 主要其他组件：10：1：1变压器、谐振电容器、 输入/输出电容器 优势：高效且小巧 劣势：较难设计 两级降压： 参考设计：LM5149-Q1EVM-400 …
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  • [参考译文] LMG5200：第二次尝试使用 LMG5200进行布局：请求审查的实物

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG5200 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1159574/lmg5200-second-attempt-on-layout-with-lmg5200-kind…
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  • [参考译文] LMG5200：工艺

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG5200 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1132374/lmg5200-process 器件型号： LMG5200 您好-我的客户想知道 LMG5200是用 Si…
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  • [参考译文] BOOSTXL-3PHGANINV：逆变器#39；s 接地和电源线在内部短接

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    Other Parts Discussed in Thread: BOOSTXL-3PHGANINV , LMG5200 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1181544/boostxl-3phganinv-inverter-s-ground-and-supply-line…
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  • RE: [参考译文] LMG5200：BOOSTXL-3PhGaNInv EVM 的最大工作频率是多少

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 我们建议在10MHz 下为此 EVM 使用 LMG5200最大 PWM 工作频率。 我们团队中的应用工程师在过去几年中发生了变化、这意味着我们对此 EVM 的支持有所限制。 建议将器件的最大 PWM 工作频率用作此 EVM 的硬性限制。 此致、 扎赫
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  • RE: [参考译文] LMG5200：用于步进电机的外部二极管

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Nishie、 正确、GaN FET 没有体二极管、从外部进行电气测量是一种正确的方法。 对于您的系统、如果存在明显的反向导通、我建议使用二极管(可能是用于低压降的 SBD)与器件并联来处理反向导通。 如果反向导通较小且显著程度低、则最好在没有二极管的情况下通过第三象限中的 GaN FET 传导、这是我的建议。 希望这对您有所帮助、 扎赫
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  • RE: [参考译文] LMG5200：H 桥参考设计。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 我们提供了 LMG5200的各种参考设计、其中一些参考设计在其设计中使用半桥拓扑。 我建议您查看以下链接、查找最能满足您需求的参考设计。 https://www.ti.com/product/LMG5200#reference-designs 希望这对您有所帮助、 扎赫

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