Other Parts Discussed in Thread: TPS6594-Q1 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1584172/tps6594-q1-clarification-on-wd_fail_cnt-behavior…
Other Parts Discussed in Thread: TS3DV642 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1250670/ts3dv642-q1-need-functionality-of-some-of-the-pins-in-the-ic 器件型号: TS3DV642…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Ben:
关于第一个问题:
漏极连接到 ACP (您拥有的 Q2、RBFET)的 N 沟道 FET 在仅电池模式下提供反向电池放电保护。 另一个具有漏极连接到适配器输入的 N 沟道 FET (Q1、ACFET)允许 Q3 BATFET 关闭、以防止适配器对电池发生瞬时短路、并通过控制 FET 导通时间、在将适配器连接到系统时提供有限的 di/dt。
关于第二个问题…