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  • RE: LMV842: 电源电压倒灌问题

    已解决
    这边试了加齐纳二极管，确实能将反向电压降下来，现在应用上ok了。

  • RE: [参考译文] LMV842-Q1：LMV842QMA

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Yanagida-San、 此帖子也与已发布的内容非常相似： https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1176997/lmv841-q1-failure-mode-distribution-pin-fmea 有关此主题的指导、请参阅该帖子。 此致、 Mike
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  • RE: [参考译文] LMV841-Q1：故障模式分布与放大器；引脚 FMEA

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Mike 先生 >对于 OPA388-Q1，可通过数据表中的链接获取该文档。 但遗憾的是，LMV841-Q1和 LMV842-Q1尚未>提供这些文档。 我知道。 非常感谢您认真地教我。 我的问题得到了解决。 此致、 Takashi Suzuki

  • RE: [参考译文] LMV842-Q1：增益裕度和静态电流

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Cedrick、 我们的客户正在寻找 LMV842-Q1的增益裕度和静态电流参数。 LMV842-Q1中的静态电流约为1mA/通道。 增益裕度通过仿真获得。 缓冲器配置中的仿真显示了大约72度的相位裕度、这与图20中提供的数据表相匹配。 因此、假设仿真代表 LMV842-Q1 器件、增益裕度测量值约为 -21.7dB、如下面的缓冲器配置所示。 如果您有其他问题…
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  • RE: [参考译文] OPA2376-Q1：OPA2376QDGKRQ1 VSSOP 的替代产品

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你(们)好 有2种可能的选项：LMV842-Q1或 TLV2197-Q1。 请注意、TLV2197-Q1的工作电压范围为4.5至12V、而 LMV842-Q1的工作电压范围为2.7至12V

  • TMS320F28377 3V电压跟随电路运放选型问题

    Other Parts Discussed in Thread: OPA2320 , LMV842 , OPA2376 , TLV9062 我们参考了TI ControlCAD里面的 TMS320F28377D 电路，把3V基准到28377之间的运放型号改成 LMV344 (TI推荐电路选型是 OPA2320 )，把28377 VREFHIA~D这4个pin对地RC值改为0欧和22uF(TI推荐电路取值是560欧和2.2uF)，这样改会不会有什么问题或风险？ LMV344 和 OPA2320 带宽不一样，对应的输出端对地RC取值该怎么调整才能避免运放振荡…
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  • [参考译文] LMV841：容性负载和&quot；RISO&quot；

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LMV844 , OPA2171 , LMV841 , LMV842 , TINA-TI , OPA4171 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/696433/lmv841-capacitive-load-and-…

  • [TI大学计划板卡介绍] MSEK创新实验套件

    Other Parts Discussed in Thread: TPS61165 , INA213 , OPA330 , TPS54295 , TPS54332 , DRV8833 , TLC372 , SN74LVC1G14 , OPA2365 , TPS60400 , DAC8802 , LMV842 , TPA2005D1 , INA333 , ADS1110 , LM2662 , VCA810 , OPA830 , DAC7311 , LMP7701 套件介绍 MSEK创新实验套件以Tiva Cortex M4 LaunchPad为核心模块…
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  • RE: [参考译文] LMV842：UV传感器应用的输出异常

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Satoshi LMV842电路表面上看起来正常，但无论极性如何，引脚7和TP3处的直流输出电平应大致相同。 如果使用非常高的输入阻抗DVM测量两个点，则TP3路径中增加R21不应导致任何显著的电压降。 但是，如果DVM电阻低于预期，则R21将形成分压器，导致引脚7处的电压高于TP3处的电压。 随着光电二极管电流的增加，第一级(互阻抗级)的输出电压将被驱动为负电压。 但是，由于第二级是反相电压放大器级…
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  • RE: [参考译文] LMV842：为何不在网络和数据表上列出SOIC封装的温度范围

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Robin： 感谢您在LMV842的TI.com产品文件夹中指出这一遗漏。 我已提交更新此内容的请求。 几天后，我们将在TI.com上看到这些更改。 对于SOIC封装，建议的工作温度范围为 -40至125。 关于数据表。 此信息在6.3 部分中提供，如下所示。 数据表末尾的部分是软件包附录。 此信息将在TI.com更新时更新。 此致， 拉斐尔·普齐奥

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