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• RE: [参考译文] LMZ31503：更高的输出电压

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Hirotsugu、您好！ 我在 LMZ31503EVM 上检查6V 电压。 它在 Ruper=10k 和 Rset=1.54k 时工作得非常完美。 LMZ31503的 VREF 为0.8V。 如果您需要5.7V 电压、Rset 应为1.65k。 希望这对我有所帮助、我将关闭这个帖子。 谢谢、 Nancy

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] TPSM63606：用于小于1V 的输出

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大卫，你好。 这些 Enpirion 模块的最大输入电压为6.5-6.6V，因此可能不需要具有36V 输入额定值的 TPSM63606。 查看 LMZ31506 (6A)，LMZ31704 (4A)，LMZ31503 (3A)模块系列的示例。 此致， 蒂姆

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] TPSM82810：电源问题和可能的替代器件

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Dan、您好！ 遗憾的是、没有具有类似尺寸的替代产品。 满足您要求的唯一可用器 件是 LMZ31503数据表、产品信息和支持|德州仪器 TI.com、但该器件要大得多。 此致、 Alex

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] LMZ31506：SS/TR 和 PWRGD

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Shane、 请参阅以下链接中的 TPS54320数据表(第16页)。 LMZ31503在模块内部使用 TPS54320作为转换器。 我不支持 LMZ31506、也不确定里面有什么。 但应该类似。 如果您在跟踪期间使 Vout2略大于 Vout1。 例如、deltaV=-0.4V、使用等式5和6、您可以使 r1=29.4k、r2=22.k、然后 SS/TD 上的电压将高于1…

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] LMZ31503：电压过冲/下冲

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Dan、您好！ 我收到了详细信息。 我们将回顾一下、今天就让您回来。 谢谢、 Nancy

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] LMZ31503：用于抑制引脚的 MOSFET

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Karthik、 是的、可以使用 CSD15380F3。 其他要点 在 UCD90320U 数据表中、我没有看到这个 GPIO 泄漏规格。 我提到了另一个使用另一个 UCD 监控器/序列发生器的参考设计、其 GPIO 可直接连接到 LMZ31503抑制、而不会出现任何问题。 UCD90320U 泄漏电流似乎很高、但如果正确、则使用 CSD15380F3是一个不错的选择…

  • 4 年多前
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• RE: [参考译文] LMZ31503：RUQ 的电路板布局示例(R-PB1QFN-N47)

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Kris 您的回答解决了我的问题 我下载了封装并检查了尺寸是否具有+-0.005mm 的公差 一切都好 谢谢你 问题已结束 P.S. 感谢您提供新的 pdf：)

  • 4 年多前
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• RE: [参考译文] LMZ31503：需要 MTBF 数据

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Vishwajit、 我最近从产品可靠性团队那里获得了相关信息。 MTBF 已更新、我在此附上了该文件。 e2e.ti.com/.../LMZ31503RUQRMTBF.pdf 对于您请求的特定信息、该信息适用于典型的 TI IC 裸片。 这些模块实际上是一个具有各种组件的组件。 以下 TR332型号： MTBF：65、616、795 时基故障：15.2 使用温度…

  • 5 年多前
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• RE: [参考译文] LMZ31503：PGND 和 AGND、感应信号

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Caleb、 随附是 LMZ31503的典型推荐布局。 您将注意到、模拟组件 Rset 和 CSS 首先以本地方式引用 AGND、然后最终转到 PGND、如图43所示。 图43还显示了遵循布局注意 事项(第9.18节)在顶层靠近输出电容器的位置隔离并连接 AGND 和 PGND 引脚。 查看您提供的 PCB 布局、可以看到 AGND 引脚已连接到 PGND、但未使用…

  • 5 年多前
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• RE: [参考译文] LMZ31503：电路验证

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 、Vishwajit、 您的原理图看起来类似于 图26中 Vout = 1V 的典型原理图 。 INH 电路看起来也是正确的、并遵循 图29 中的典型抑制控制。 在该电路中、如果 VCC_1V0_EN 为低电平并使 Q5保持开路、器件将在10ms 内启动。 如果 VCC_1V0_EN 为高电平、则 Q5导通且 INH 短接至 GND、从而有效地关闭稳压器。 此致 Jimmy…

  • 6 年多前
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