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  • [参考译文] LM51231-Q1：SNVA991中的可能错误、表2-2

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1411572/lm51231-q1-possible-error-in-snva991-table-2-2 器件型号： LM51231-Q1 工具与软件： 您好！ 我将尝试计算同步 MOSFET 的损耗…

  • BQ76952: DSG PIN voltage only 8V

    TI 认为已经解决
    Part Number: BQ76952 The charge and discharge FETs arranged in series, when the charge FET is turn off(the CHG PIN is off ),the DSG PIN voltage is only 8V(P+/P- no load);But when we add a load at P+/P- (Like a 1M resistor),the DSG PIN voltage rise up to…

  • [参考译文] LMG36XX-CALC：LMG3522R030RQSR EMI 仿真

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1611930/lmg36xx-calc-lmg3522r030rqsr-emi-s…
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  • RE: [参考译文] CSD87350Q5D：降压转换器的 MOSFET 导通损耗

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Biswajit， 感谢您关注 TI FET。 在导通损耗公式中、对于高侧 FET、电感器 RMS 电流乘以占空比 D、对于低侧 FET、乘以(1 - D)。 这是因为高侧 FET 在 Ton 期间导通、而低侧 FET 在 Toff 期间导通。 电感器 RMS 电流对于两个导通损耗公式都是通用的、可以表示为： ILrms =√μ V (Io² μ V x (1 + 1…
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  • RE: [参考译文] LM25117：与 LM25148进行比较

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Fred 我在 TI.com https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 上找到了计算器 。 －李家祥
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  • RE: [参考译文] CSD87381P：最小输入电压

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、PREMA： 感谢您关注 TI FET。 CSD87381P 可在您的输入电压范围内工作。 但是、BUCK1的输出电压为5V、高于最小输入电压。 降压转换器只能降低输入电压。 您将 PMIC 输入预调节至5.6V。 如果这是 BUCK1的同一输入、则占空比将大于90%。 我建议检查 PMIC、以确保控制器可以在高占空比下运行。 TI 提供了同步降压 FET 选择工具、点击下方链接…

  • AM2434: LP-AM243 development board+BP-CC3351 development board cannot start WiFi application after burning according to the document instructions.

    TI 认为已经解决
    Part Number: AM2434 Other Parts Discussed in Thread: SYSCONFIG , UNIFLASH After following this document: CC33XX MCU User's Guide , the WiFi application did not start and remained stuck on "Image loading done, switching to application ..." interface.What…
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  • RE: [参考译文] LM5143-Q1：LM5143的设计问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 张晓 这是具有高 RDSon 和 HIH Qrr 的100V FET。 如果 VIN-max 为48V，则可以使用60V FET。 这将降低功率损耗。 了解 TI 的 NexFET 60V FET 产品组合。 在分区中，您可以在以下位置使用 NexFET 计算器工具： https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC ，例如，CSD18563Q5A…
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  • [参考译文] TPS4H160-Q1：感性负载关断钳位和电源损耗保护

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM74700-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1339990/tps4h160-q1-inductive-load-switching-off-clamp-and…

  • [参考译文] LM5148：LM5148RGYR 输出损耗与高负载间的关系

    Other Parts Discussed in Thread: CSD19532KTT 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1487872/lm5148-lm5148rgyr-output-loss-vs-high-load 器件型号…

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