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  • Miller effect of MOS tube: Is it really useless?

    TI 认为已经解决
    In some high-frequency switching circuits, the Miller effect of MOS tubes has the unpleasant disadvantages of extending the switching frequency, increasing power consumption, and reducing system stability. As shown in the figure below, there is a small…
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  • RE: [参考译文] LM5148-Q1：PFM 模式下的轻负载条件下出现问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Taras、 如果处于 PFM 模式、开关节点偶尔会切换以保持输出电压、在本例中为12V。 开关将在关断一段时间后稳定在 VOUT、然后在 HS FET 导通时上升至 VIN、然后 在 HS FET 关断且 LS FET 导通时下降至~0V。 此时电流将斜降至0A、LS FET 将关断、开关将振铃并稳定至 VOUT。 这不是我们在这里看到的吗？ 当您处于 FPWM 模式时…
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  • RE: [参考译文] LM5069：电源保护

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Akil： 看起来 Calc 没有使用正确的 FET SOA 数据和 RDSON 进行更新。 我已经更新了它。 您需要2个 FET。 e2e.ti.com/.../LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_D_5F00_Akil.xlsx 此致 Kunal Goel
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  • RE: UCC29002: 29002 器件手册的理解

    已解决
    待机时断开与负载共享总线的连接 Disconnect from load-share bus at stand-by 手册中有详细的说明： 6.2 Functional Block Diagram的Disconnect Switch Figure 6-1. Enable Comparator下面的一段话。
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  • RE: [参考译文] LM25184-Q1：器件可处理的最大负载电流

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Vishwas： 对于这种窄 VIN、您需要比 LM25184-Q1能够提供的开关电流更高的开关电流、从而提供所需的功率。 我建议使用外部 FET 的 LM5185-Q1。 外部 FET 将使您能够在相同的 VIN 下提供更大的功率。 请使用 LM5185-Q1的计算器设计(下面的链接)进行原理图设计。 LM5185-DESIGN-CALC 计算工具|德州仪器 TI…
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  • RE: [参考译文] CSD87330Q3D：CSD87330Q3D

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Udesh、您好！ 感谢您关注 TI FET。 CSD87330Q3D 数据表的热阻值、封装顶部的 RθJA、RθJC 和封装底部的 RθJC 至 GND 焊盘位于第3页的表5.3中、最大功率耗散位于同一页的表5.1中。 在数据表的第6节"应用和信息"部分、您将找到有关如何使用数据表曲线根据您的运行条件估算功率损耗的说明。 您还可以在下面的链接中使用基于 Excel 的同步降压…
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  • [参考译文] CSD19534Q5A：MOS 管上部和下部损耗

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD19534Q5A , CSD19532Q5B , SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC , CSD19531Q5A , CSD19533Q5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management…
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  • RE: [参考译文] AM62A7：关于从 eMMC 引导 SBL 的设置、使用 FACLON 模式

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、 Prashant： 在我为您的 syscfg 打补丁并再次测试后、内核日志看起来正常。 感谢您的帮助！ SYSFW Firmware Version 10.0.8--v10.00.08 (Fiery Fox) SYSFW Firmware revision 0xa SYSFW ABI revision 4.0 [BOOTLOADER_PROFILE] Boot Media…

  • RE: TPS23523: How to apply it to combine two -15V sources into one?”

    Hi Ryan, One simple way is to add diode or FET on each side of the supply. If you need to share the load, you can use resistor, example like below. www.ti.com/.../slva250.pdf Or load share IC like UCC29002.

  • RE: DRV8300: 搭配使用的双集成NMOS推荐

    您好， TI 拥有可满足您要求的 NexFET blocks。 一个示例是 CSD88537。 https://www.ti.com/lit/gpn/csd88537nd 我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ )和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ )。 这些器件要求 VGS 最小值为6V，并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能/成本，60V 电源块…

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