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  • RE: [参考译文] TPS27081A：如何在 Vin 增大时保持 Vout 关闭？

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Marco、Matthew： 感谢您在此分享这些信息。 因此、我熟悉其他一些器件中的类似现象、但它们的结构略有不同。 当 Vin 快速斜升时、Q2 FET 可能会导通一段时间、这会导致 Vout 处出现该充电问题。 如果您在输出端有放电路径、则会放电。 我有一个问题、为什么不在输出端使用具有集成 QOD 的器件？ 您提到您将在实际应用中实现输出放电。 下面是能够处理5V…

  • RE: LM5146: MOS管驱动信号存在振铃

    SYNCIN在此处处于断路状态，因此在内部下拉，这意味着二极管仿真模式已启用。 这将给出您为轻负载操作测量的波形，其中LO在电感器电流接近零时关闭(振铃是两个FET均关闭时与开关节点电容共振的电感器)。 将SYNCIN与VCC绑定以使用固定FSW在FPWM中设置控制器。 顺便说一句,ILIM的上限太高了。 请使用快速启动计算器帮助选择组件。 https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC

  • TPS92692-Q1: 14V/60W的boost电路，实际测试只有5W，SS脚是三角波，功率一直调不上去

    Part Number: TPS92692-Q1 Other Parts Discussed in Thread: TPS92692 TPS92692_Boost_Design_Calculator-7XML2.pdf TPS92692-Q1-X7-V1_1.pdf
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  • [参考译文] LM5149-LM25149DESIGN-CALC：功率损耗限制或警报更新计划

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM5149-LM25149DESIGN-CALC 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1211964/lm5149-lm25149design-calc-update…
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  • RE: [参考译文] CSD87381P：设计查询

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Ashish， 感谢您对 TI FET 的关注。 CSD87381P 将与 Vin = 5V 配合使用。 本设备使用30V FET (最小指定 BVDSS = 30V)，ABS 最大 VGS 额定值为+10V/-8V。 下面的链接提供了基于 Excel 的 TI 同步降压 FET 选择工具。 它允许用户输入他们的要求，并根据功耗，封装和1k 价格比较多达3个 TI FET…

  • RE: [参考译文] AM625：从 eMMC 4GB 引导分区进行 SBL Linux 引导

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 谢谢 Prashant、 我根据您的建议修改了布局、并尝试从 eMMC 引导。 内核可以启动但在途中停止。 SYSFW Firmware Version 11.0.7--v11.00.07 (Fancy Rat) SYSFW Firmware revision 0xb SYSFW ABI revision 4.0 [BOOTLOADER_PROFILE] Boot Media…
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  • [参考译文] UCC25800-Q1：UCC25800-Q1 开关损耗

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: UCC25800-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1526174/ucc25800-q1-ucc25800-q1-switching-losses 器件型号： UCC25800…

  • RE: [参考译文] LM7480-Q1：获取 HGATE 输出时出现问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Avinav： Q1 (HSFET)损坏可能是由于 MOSFET SOA 违例所致。 您可以使用该工具缩放启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir

  • RE: [参考译文] TPS53015：MOSFET 选择

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Dharanesh S、您好！ 请尝试使用此工具、查看它是否有助于为此控制器挑选 FET： 1) 1) https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 2) 2) https://training.ti.com/nexfet-synchronous-buck-converter-fet-selection-tool-train…

  • RE: DRV8873-Q1: 50KHZ带载发烫

    您好， 请参阅datasheet中的以下部分。 计算开关损耗时发热，是预期行为。 8.2.1.2 Drive Current and Power Dissipation To reduce switching losses, slew rate can be adjusted with SPI register. Faster slew rate results in lower switching losses.（为了减少开关损耗，可以使用 SPI 寄存器调节压摆率。 更快的压摆率可降低开关损耗…

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