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找到 6,674 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
  • RE: DRV8300: 搭配使用的双集成NMOS推荐

    Cherry Zhou
    Cherry Zhou
    您好, TI 拥有可满足您要求的 NexFET blocks。 一个示例是 CSD88537。 https://www.ti.com/lit/gpn/csd88537nd 我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ )和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ )。 这些器件要求 VGS 最小值为6V,并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能/成本,60V 电源块…
    • 3 年多前
    • 电机驱动器
    • 电机驱动器论坛
  • RE: UCC28740: PMP41009

    cks Chen
    cks Chen
    Hello, I tested the prototype by changing the input voltage under heavy load conditions, with the input ranging from 220V to 900VAC. I found that the operating frequency of the converter remains constant at 16KHz, but the maximum operating frequency I…
    • 3 个月前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • RE: SLUC222: Simulation of PSFB converter

    mufee dha
    mufee dha
    Please find attached the schematic and waveforms for the primary current, bridge switch VDS, secondary output voltage, CS output, and output load current. Update- -The compensation values were updated as suggested; however, the output voltage rises to…
    • 2 个月前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • RE: BQ25756: 充电异常

    Links
    Links
    您好,请参考下面schematic checklist确认电路。 4617.BQ25756_Schematic_And_Layout_Checklist.pdf TRANSLATE with x English Arabic Hebrew Polish Bulgarian Hindi Portuguese Catalan Hmong Daw Romanian Chinese Simplified Hungarian Russian Chinese Tradit…
    • 1 年多前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM5069:电源保护

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Akil: 看起来 Calc 没有使用正确的 FET SOA 数据和 RDSON 进行更新。 我已经更新了它。 您需要2个 FET。 e2e.ti.com/.../LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_D_5F00_Akil.xlsx 此致 Kunal Goel
    • 1 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • "MOSFETs: The Silent Killers in Fast Charging or Unsung Heroes? (Data-Backed Debate Requested)"

    vbsemi
    vbsemi
    TI 认为已经解决
    The Triggering Observation During teardowns of 23 failed EV chargers and phone adapters (2019-2023), MOSFET failures accounted for 81% of catastrophic faults - yet OEMs bury this component in obscurity. How can a sub-$0.1 part dictate the success of $500M…
    • 10 个月前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • RE: TMS320F280039C: CLA Task1 无法单步运行debug且起始地址不匹配,已添加__mdebugstop(); 而且Task1中断能正常运行

    Vivian Gao
    Vivian Gao
    您好 确认一下这个过程 Launch target configuration both cores should be disconnected "Connect Target" for the c28x c28x will be suspended It may throw an error about not having the debug information at this point, that can be ignored Load the .out…
    • 1 年多前
    • C2000 微控制器
    • C2000™︎ 微控制器论坛
  • Answered
  • RE: CSD17573Q5B: 推動相同電流MOSFET(High Side)溫度會隨著架構不同而不同,怎麼設計以降低MOSFET溫度

    Chiaochun Chang
    Chiaochun Chang
    已解决
    更換Rgs 10K溫度無顯著改善, 但降低切換頻率可以明顯改善溫昇 目前根據實驗結果推論是原MOSFET Qg過大, 造成Turn ON/OFF過慢導致Switching Loss過大 會更換MOSFET取得Conduction Loss和Switching Loss較平衡的MOSFET
    • 2 年多前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • Answered
  • RE: [参考译文] LM5148-Q1:PFM 模式下的轻负载条件下出现问题

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Taras、 如果处于 PFM 模式、开关节点偶尔会切换以保持输出电压、在本例中为12V。 开关将在关断一段时间后稳定在 VOUT、然后在 HS FET 导通时上升至 VIN、然后 在 HS FET 关断且 LS FET 导通时下降至~0V。 此时电流将斜降至0A、LS FET 将关断、开关将振铃并稳定至 VOUT。 这不是我们在这里看到的吗? 当您处于 FPWM 模式时…
    • 11 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • Miller effect of MOS tube: Is it really useless?

    vbsemi
    vbsemi
    TI 认为已经解决
    In some high-frequency switching circuits, the Miller effect of MOS tubes has the unpleasant disadvantages of extending the switching frequency, increasing power consumption, and reducing system stability. As shown in the figure below, there is a small…
    • 1 年多前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
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