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找到 6,785 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • RE: BQ25185：Solar Energy Input and Power Switching Management

    Hello, and thank you for your response. The chip I am looking for needs to meet the following requirements: it should support input from a solar panel, charge a lithium battery and power the subsequent load when solar energy is sufficient, and switch…

  • [参考译文] HD3SS3220：根据 HD3SS3220 DFP 软件狗评估模块设计 USBC DRP — 寻求足够的 PMUX

    Other Parts Discussed in Thread: HD3SS3220 , TPS25910 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/switches-multiplexers-group/switches-multiplexers/f/switches-multiplexers-forum/1603417/hd3ss3220-designing-usbc…

  • RE: BQ25756: The REGN pin voltage is OV, It looks like the BQ25756 isn't working.

    Hello, 1. You can check the recommended operating conditions in the datasheet. 2. I recommend connecting a battery or CV load for testing. The BQ25756 does not work well without a battery. 3. Yes, the BQ25756 can operate in pure hardware mode. 4. Yes…

  • RE: UCC28951: DCM mode switching to CCM mode timing

    So, if I design a load of 12V/210A (2.5kW), I can switch from DCM to CCM at a 5%-10% current (10.5A-21A). Is this correct? Will DCM efficiency still be good at 5%-10%?
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  • RE: [参考译文] CSD87330Q3D：CSD87330Q3D

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Udesh、您好！ 感谢您关注 TI FET。 CSD87330Q3D 数据表的热阻值、封装顶部的 RθJA、RθJC 和封装底部的 RθJC 至 GND 焊盘位于第3页的表5.3中、最大功率耗散位于同一页的表5.1中。 在数据表的第6节"应用和信息"部分、您将找到有关如何使用数据表曲线根据您的运行条件估算功率损耗的说明。 您还可以在下面的链接中使用基于 Excel 的同步降压…
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  • LM5085: LM5085MY/NOPB 输出电压异常问题

    已解决
    Part Number: LM5085 Ti的工程师们，你们好， 我在使用LM5085设计了38V转3.3v的降压转换电路，从原理图中来说就是VCC_BAT通过LM5085转换到DC_3V3，DC_3V3通过一个 load Switch MT9700转换为VCC-3V3.现在的问题是，当我通过MCU下拉MT9700的EN引脚为低电平的时候，LM5085的输出电压就会变为3.6V，请问这是什么原因？
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  • [参考译文] WEBENCH-CIRCUIT-DESIGNER：LM5143A-Q1 双路输出仿真能力和 WEBENCH 支持状态

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: WEBENCH-CIRCUIT-DESIGNER , LM5143A-Q1 , LM5143DESIGN-CALC 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1592529/webench…
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  • RE: [参考译文] LM5185EVM-SIO：更改输出

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Valery、 EVM 专为 16V 1A 输出而设计、一些更改可以实现 24V 0.5A 的设计要求。 需要考虑的主要元件参数是变压器、RFB、RCS 和 COMP 网络。 我认为 EVM 上的初级侧 FET、次级反激式二极管和齐纳钳位应该适合您的用例。 Rset 值固定为 10K、您还可以检查输入和输出电容器。 您可以使用设计计算器来满足您的设计要求、链接： LM5185…

  • RE: DRV8300: 搭配使用的双集成NMOS推荐

    您好， TI 拥有可满足您要求的 NexFET blocks。 一个示例是 CSD88537。 https://www.ti.com/lit/gpn/csd88537nd 我们有可在应用中工作的双 FET 或电源块。 我们有两个采用 SO8封装的双路60V 器件 CSD88537ND (VGS = 10V 时为15mΩ )和 CSD88539ND (VGS = 10V 时为28mΩ )。 这些器件要求 VGS 最小值为6V，并且与5V 栅极驱动器不兼容。 我们确实具有更高的性能/成本，60V 电源块…

  • RE: [参考译文] LM74930-Q1：电源管理论坛

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Andreas： 您可以使用此工具计算 SOA 裕度。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 您可以调整 HGATE 上的电容以提供更多裕度。 此致、 Shiven Dhir

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