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  • RE: [参考译文] TMS320F28379D LaunchPad 栅极驱动器设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Semanur、您好！ 谢谢咨询。 是 TI 功率 MOSFET 的应用工程师。 我可以帮助您为应用选择 FET。 但是、栅极驱动器由 TI 内部的不同应用团队处理。 首先、我们为 BLDC 电机驱动开发了一款基于 Excel 的 FET 选择工具、您可以访问下面的链接找到该工具。 这允许用户输入其要求、并根据功率损耗、封装和成本比较多达3个不同的 TI FET 解决方案。 …

  • RE: UCC21520: UCC21520参考数据手册Layout但出现严重振铃现象解决方案

    I would recommend minimizing the gate drive loop as much as possible to limit ringing from inductance. I can't tell how long the gate drive paths are, but I would analyze if these can be shortened in the next layout revision. I also wonder if there…
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  • RE: UCC29002: 29002 器件手册的理解

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    待机时断开与负载共享总线的连接 Disconnect from load-share bus at stand-by 手册中有详细的说明： 6.2 Functional Block Diagram的Disconnect Switch Figure 6-1. Enable Comparator下面的一段话。

  • RE: [参考译文] TPS27081A：如何在 Vin 增大时保持 Vout 关闭？

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Marco、Matthew： 感谢您在此分享这些信息。 因此、我熟悉其他一些器件中的类似现象、但它们的结构略有不同。 当 Vin 快速斜升时、Q2 FET 可能会导通一段时间、这会导致 Vout 处出现该充电问题。 如果您在输出端有放电路径、则会放电。 我有一个问题、为什么不在输出端使用具有集成 QOD 的器件？ 您提到您将在实际应用中实现输出放电。 下面是能够处理5V…

  • RE: [参考译文] LM7480-Q1：获取 HGATE 输出时出现问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Avinav： Q1 (HSFET)损坏可能是由于 MOSFET SOA 违例所致。 您可以使用该工具缩放启动。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 此致、 Shiven Dhir
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  • [参考译文] 同步降压- FET 损耗-计算不起作用

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1075693/sync-buck-fet-loss-calc-doesn-t-work “线程”中讨论的其它部件： 电机驱动器 FET 损耗计算 ， 同步损耗 FET 损耗计算 我们使用的是 Office…
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  • [参考译文] SN74CBTLV3257：在 Hyperlynx SI 中控制 FET 开关多路复用器 IBIS 模型

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/switches-multiplexers-group/switches-multiplexers/f/switches-multiplexers-forum/1384389/sn74cbtlv3257-controlling-fet-switch-mux-ibis-model-in-hyperlynx-si 器件型号： SN7…
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  • RE: [参考译文] LM74912-Q1：DGATE 引脚和 HGATE 引脚之间的开关速度

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shunshuke： 理想二极管可通过控制输出电压压摆率来抑制浪涌电流。 在发生这种情况时、FET 会承受应力、必须相应地进行缩放。 此应力因系统而异。 我们提供了一个浪涌 SOA 计算器、可以帮助您进行设计。 FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com 我们在数据表中还提供了 FET 选择指南。 此致、 Shiven Dhir
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：设计组件规格

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Romain、 感谢您发送文件。 您可以在此处使用 MOSFET 选择器工具： https://webench.ti.com/wb5/FETs_Selection/FETPBWizard.jsp? 鉴于此处的降压比较大(低占空比)、 高侧 FET 可以是高 Rdson 和低寄生电容/电荷、以降低400kHz 时的开关损耗。 在此处查看更多信息： https:…
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  • RE: [参考译文] TPS1211-Q1：功率限制查询

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 请在启动期间使用该工具验证 SOA https://www.ti.com/tool/download/FET-INRUSH-SOA-CALC

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